MOSFET簡介
金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱 MOSFET。是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為N-MOSFET與P-MOSFET, MOSFET 廣泛用于電路電子開關(guān)。
MOSFET選型技巧
1.選用N溝道還是P溝道,在低壓側(cè)開關(guān)中,應采用N溝道MOSFET,這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當MOSFET連接到總線及負載接地時,就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常是出于對電壓驅(qū)動的考慮;
2.額定電壓越大,器件的成本就越高,Vos必須覆蓋電路額定工作電壓范圍并且注意溫度曲線;
3.確定額定電流,額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流;
4.選好額定電流后,還必須計算導通損耗。MOSFET在“導通”時就像--個可變電阻,由器件的RDS(ON)所確定,并隨溫度而顯著變化。器件功率耗損可由lload2xRDS(ON)計算也會隨之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高,Rps(ON)就 會越小;反之Rps(ON)就會要折中權(quán)衡的地方。對便攜式設計來說,采用較設計,可采用較高的電壓。注意RDs(ON)電阻會隨著電流輕微上升;
5.決定開關(guān)性能,是柵極/漏極、柵極/源極及漏極源極電容。這些電容會在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗,因為在每次開關(guān)時都要低,器件效率也下降。為計算開關(guān)過程中器件的總損耗,設計人員必須計算開通過程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff)。
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