電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化及常見問題介紹

本文從光刻圖案設(shè)計(jì)、特征尺寸、電鏡參數(shù)優(yōu)化等方面介紹電子束光刻的參數(shù)優(yōu)化，最后介紹了一些常見問題。

“電鏡的電壓、束流、工作距離等參數(shù)在電子束光刻中起著至關(guān)重要的作用。通過合理選擇和優(yōu)化這些參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)更好的成像效果、加工精度和效率。此外，在電子束光刻中，電子束像散、聚焦不良以及曝光參數(shù)的合理控制都對加工效果有重要影響。通過定期維護(hù)設(shè)備、優(yōu)化操作流程和校準(zhǔn)系統(tǒng)，可以有效減少這些問題帶來的負(fù)面影響。”

電子束光刻的整個圖案生成過程包括從最初的圖案概念到使用電鏡實(shí)際書寫的整個過程。雖然使用 CAD 界面定義圖案元素的形狀、大小和位置的圖案設(shè)計(jì)相對簡單，但在布局時應(yīng)考慮到書寫系統(tǒng)的某些限制。除設(shè)計(jì)外，還需要調(diào)整一些電鏡參數(shù)，以便正確配置系統(tǒng)參數(shù)，如工作距離、加速電壓、束流或束斑大小。最后一步是通過適當(dāng)?shù)膬?yōu)化和樣品放置來正確設(shè)置電鏡。

1 圖案設(shè)計(jì)

使用設(shè)計(jì)程序，最常見的是CAD類型，可以構(gòu)建任何形狀并與書寫軟件連接。如前所述，圖案設(shè)計(jì)會受到一些限制，例如書寫區(qū)域的大小和特征本身。同樣重要的是，要考慮電子束是如何實(shí)際暴露光刻膠的，以及這帶來的限制。設(shè)計(jì)圖案時的另一個考慮因素是特征的密度。這種現(xiàn)象被稱為鄰近效應(yīng)，是書寫高密度圖案時的一個重要因素。例如，與書寫單個點(diǎn)或低密度陣列相比，高密度點(diǎn)陣列所需的曝光劑量更低。

備注：電子束光刻中的鄰近效應(yīng)是指在進(jìn)行微納米級圖案加工時，由于電子束的散射和傳輸效應(yīng)，導(dǎo)致圖案邊緣處的曝光劑受到影響而產(chǎn)生的現(xiàn)象。

鄰近效應(yīng)通常包括以下兩種：正向鄰近效應(yīng)：在正常情況下，靠近暗區(qū)（未曝光區(qū)）的亮區(qū)（已曝光區(qū)）圖案的邊緣會受到暗區(qū)的影響而變窄或形變。這是由于暗區(qū)的邊緣會發(fā)生電子束的漫反射，導(dǎo)致曝光劑在邊緣處的吸收變強(qiáng)。負(fù)向鄰近效應(yīng)：與正向鄰近效應(yīng)相對，靠近亮區(qū)的暗區(qū)圖案邊緣會因?yàn)榱羺^(qū)的影響而變寬。這是由于亮區(qū)的邊緣處會有電子束的主要透射，使得暗區(qū)邊緣所需的曝光劑量減少。

寫入?yún)^(qū)域的大小由電鏡的放大倍率決定。精細(xì)特征通?？梢酝ㄟ^50 × 50 μm2 到 200 × 200 μm2 的寫入?yún)^(qū)域大小來實(shí)現(xiàn)，具體取決于電鏡的類型，每種電鏡型號通常都有特定的放大倍率值，可以在該設(shè)備內(nèi)提供最佳信噪比。

如果需要大面積的精細(xì)特征，可以將幾個區(qū)域定位，使區(qū)域邊緣相互對齊，這就是通常所說的拼接。除非小心謹(jǐn)慎，否則圖案的邊緣會因平臺運(yùn)動的不規(guī)則而不匹配。然而，使用對準(zhǔn)程序，可將這些不規(guī)則性最小化到20nm。根據(jù)圖案的用途，這種誤差通常是可以接受的。

2 特征尺寸與點(diǎn)間距

圖案設(shè)計(jì)的另一個重要限制是特征的尺寸，這受到光刻膠分辨率和電鏡優(yōu)化的限制。通過適當(dāng)?shù)碾婄R優(yōu)化和高分辨率光刻膠，大多數(shù)W或LaB6 SEM 型號都能常規(guī)生成 50 nm 的特征，而FE SEM則能常規(guī)生成20 nm或更小的特征。

要想從任何光刻系統(tǒng)中獲得最佳效果，尤其是在要求苛刻的研究應(yīng)用中，了解電子束是如何移動以產(chǎn)生圖案的非常重要。要產(chǎn)生最精細(xì)的線條，通常使用電子束的單次通過，它由相鄰的曝光點(diǎn)組成，具有確定的中心到中心的距離。在這種情況下，中心到中心的距離必須設(shè)置為最終線寬的四分之一到一半（相鄰曝光點(diǎn)充分重疊）。對于寬線或填充區(qū)域，將使用單獨(dú)定義的線間距參數(shù)來控制相鄰電子束通過之間的間距。

在先進(jìn)的光刻系統(tǒng)中，用戶可以獨(dú)立調(diào)整中心到中心的距離和線間距參數(shù)，而在較為有限的系統(tǒng)中，只能為這兩個參數(shù)提供單一參數(shù)。利用獨(dú)立間距的一種應(yīng)用是，有意將曝光點(diǎn)定義為在矩形陣列中產(chǎn)生孤立的點(diǎn)。使用這種方法，陣列中的點(diǎn)將是在系統(tǒng)配置和電鏡設(shè)置條件下可以實(shí)現(xiàn)的最小點(diǎn)。

3 電鏡參數(shù)優(yōu)化

除了圖案設(shè)計(jì)外，還需要根據(jù)應(yīng)用調(diào)整系統(tǒng)參數(shù)，比如工作距離（WD）會對書寫過程的許多方面產(chǎn)生影響，其它參數(shù)例如束斑大小、干涉和放大倍數(shù)。此外，在考慮設(shè)計(jì)配置和材料特性的同時，還需要調(diào)整加速電壓和電流，以確定適合預(yù)期應(yīng)用的電子束。

3.1 工作距離（WD）

工作距離會影響可達(dá)到的最小束斑尺寸、對外部干擾的敏感性以及某些電鏡應(yīng)使用的最佳放大倍率設(shè)置。較短的工作距離將提高電鏡的分辨率，并降低電子束受外部干擾的敏感性。在電鏡環(huán)境有磁場的情況下，使用較短的工作距離可能會對書寫質(zhì)量產(chǎn)生巨大影響。對于大多數(shù)電鏡，5至10毫米的工作距離適合書寫精細(xì)特征。

工作距離也會影響最佳放大倍率設(shè)置。在所有的電鏡中，總放大倍率范圍將被劃分為較小的范圍，每個范圍將在電鏡掃描控制電子裝置中使用不同的電路。當(dāng)掃描控制電子元件從一個子范圍切換到另一個子范圍時，通常會產(chǎn)生輕微的臨時圖像失真和/或機(jī)械繼電器發(fā)出的咔嗒聲。掃描控制電子元件內(nèi)的最佳信噪比將出現(xiàn)在轉(zhuǎn)換后的較高倍率值上。在某些型號的電鏡中，發(fā)生過渡的放大倍率值取決于工作距離和電子束的加速電壓。對于這些型號的電鏡，使用相同的工作距離進(jìn)行所有精細(xì)光刻通常是有益的，這樣過渡的放大倍率值和最佳放大倍率就不會發(fā)生變化。

3.2 加速電壓與電子束電流（束斑尺寸）

增加加速電壓將產(chǎn)生更大的電子穿透深度，從而降低光刻膠中散射電子的數(shù)量，使線寬更細(xì)。加速電壓還可以與前面提到的工作距離一起影響放大倍率的設(shè)置。大多數(shù) STEM 的最大加速電壓為30千伏，這也是大多數(shù)精細(xì)書寫所使用的電壓。在使用STEM時，可以使用100 kV ~300 kV的加速電壓；但是，這些型號通常只允許非常有限的樣品尺寸，這就降低了它們在光刻方面的通用性。

與較大的束流相比，較小的束流在樣品上產(chǎn)生的束斑尺寸較小。使用最高的加速電壓和低的電子束電流可以獲得最小的束斑尺寸。用于精細(xì)光刻的典型束流范圍為 5-50 pA，最佳值因掃描電鏡的型號和燈絲類型而異。一些常見的范圍如下W 燈絲電鏡為 5-10 pA，LaB6 燈絲電鏡為10-20 pA，場發(fā)射電鏡為20-50 pA。一般來說，目標(biāo)是使用足夠小的電子束電流來產(chǎn)生所需的特征尺寸，但同時也要足夠大，以便電鏡易于優(yōu)化。

此外，探測器類型會影響成像效果，因?yàn)椴煌愋偷奶綔y器可以用于檢測不同種類的信號，例如二次電子、背散射電子等，從而影響成像效果。

4 電鏡的合軸與樣品定位

正確的設(shè)置電鏡光路是寫入開始前的最后一步，通常包括兩個部分：電鏡優(yōu)化和樣品定位。精細(xì)光刻要求對電鏡進(jìn)行仔細(xì)優(yōu)化，以確保電子束具有最優(yōu)設(shè)置。樣品的定位會影響曝光定位和軸對準(zhǔn)。

在需要優(yōu)化的設(shè)置中，聚焦和像散是新用戶最難調(diào)整的。因此，在嘗試書寫圖案之前，熟悉電鏡以及如何正確優(yōu)化正常成像非常重要，而在使用金標(biāo)樣時，電鏡的優(yōu)化通常是最容易的。從低倍鏡開始，應(yīng)交替調(diào)整焦距和像散，直到可以在大約 1 × 1μm2 或更小的視野尺寸下獲得清晰圖像。此外，還應(yīng)解決燈絲電流、合軸、光闌居中（通常稱為 “wobble-晃動”）等問題。由于這些問題取決于正在優(yōu)化的電鏡型號的具體情況。

在金標(biāo)樣上對電子束進(jìn)行優(yōu)化后，應(yīng)將載物臺置于樣品邊緣，使光刻膠表面遠(yuǎn)離寫入?yún)^(qū)域。建議使用平臺Z控制對焦，因?yàn)檫@樣可以在不改變電鏡電子設(shè)備設(shè)置的情況下將樣品物理升高或降低到適當(dāng)?shù)母叨取＿@種技術(shù)消除了金標(biāo)樣與書寫表面處于同一高度的要求。最后的電子焦距調(diào)整可在高度調(diào)整后進(jìn)行，因?yàn)榇藭r只需稍作改動，不會對電子束優(yōu)化產(chǎn)生任何不利影響。

在初學(xué)光刻技術(shù)時，最好在一些明顯的標(biāo)記附近寫上圖案，如在基底上用金剛石刻刀劃出的細(xì)小劃痕。將圖案放置在劃痕末端附近會使圖案在顯影后更容易定位。此外，當(dāng)圖案放置在離最后優(yōu)化位置較遠(yuǎn)的位置時必須小心，因?yàn)槿绻脚_運(yùn)動使樣品高度發(fā)生顯著變化，電子束就會發(fā)生散焦。

樣品相對于書寫軸的方向會影響圖案在樣品上的位置，因此必須將書寫軸與樣品邊緣對齊。這可以通過改變平臺旋轉(zhuǎn)、調(diào)整掃描旋轉(zhuǎn)和/或使用光刻軟件的定位功能來實(shí)現(xiàn)。從書寫樣品的一側(cè)移動到另一側(cè)時，垂直位置每毫米的變化應(yīng)小于1μm。如果不作此調(diào)整，寫入的圖案之間的相對位置將是正確的，但與樣品之間的位置卻不正確。

5 圖案處理工藝

圖案在光刻膠中曝光后，后續(xù)加工將圖案轉(zhuǎn)移到基底或光刻后添加的層上。所用的加工工藝取決于材料系統(tǒng)和所需的最終結(jié)構(gòu)。與任何多步驟光刻工藝一樣，后一步驟的失敗總是比前一步驟的失敗更為嚴(yán)重，因此避免出現(xiàn)問題變得越來越重要。

在曝光過程中，光刻膠中的分子鍵會產(chǎn)生或斷裂，這分別取決于光刻膠是正性還是負(fù)性。如果光刻膠在顯影液中停留時間過長，溶解度較低的光刻膠區(qū)域也會溶解；不過，當(dāng)顯影時間在一分鐘左右時，很容易獲得相當(dāng)一致的結(jié)果。此外，顯影速度取決于顯影液的溫度，因此建議保持可控的顯影溫度。顯影藥劑和顯影時間取決于所使用的光刻膠類型，但整個程序基本相同。曝光后，用顯影劑覆蓋涂有光刻膠的基片一定時間，沖洗，然后干燥，通常是通過吹干N2來實(shí)現(xiàn)。

5.1 鍍膜和剝離

濺射和蒸發(fā)是兩種常見的鍍膜方法。濺射和蒸發(fā)的一個顯著區(qū)別是對沉積材料方向的控制。在典型的濺射系統(tǒng)中，沉積的目的是以大范圍的入射角打擊基底，而蒸發(fā)通常接近準(zhǔn)直。由于入射電子束的前向散射，以及部分電子從基底散射并暴露出光刻膠底部，因此圖案橫截面呈梯形，如圖1所示。

圖1. 正極光刻膠曝光后的下切橫截面示意圖

剝離是去除光刻膠和涂在光刻膠上的材料的過程。然后留下附著在基底上的材料，從而產(chǎn)生所需的圖案。移除的成功與否主要取決于涂層與基底的附著力，以及涂層是否覆蓋了光刻膠的側(cè)壁。一般來說，蒸發(fā)電子束的準(zhǔn)直度足以使側(cè)壁不被涂層覆蓋，而濺射電子束則更有可能使側(cè)壁被涂層覆蓋，從而增加脫膜步驟的難度。對于剝離，重要的是了解光刻膠的厚度，并將涂層厚度保持在光刻膠厚度的三分之二以下。

對于PMMA而言，丙酮是脫模過程中通常使用的溶劑。PMMA和丙酮的脫模步驟可通過多種方式完成。一般來說，建議使用最溫和的升華過程，以獲得穩(wěn)定的良好結(jié)果。最簡單的方法是讓樣品在室溫丙酮中浸泡約20分鐘，或直到可以看到涂層浮起為止。越來越激進(jìn)的方法包括使用注射器或超聲波清洗器幫助去除金屬涂層，甚至用小刷子刷洗樣品。有時也使用加熱的丙酮，但只有在采取適當(dāng)?shù)陌踩胧┖蟛拍苁褂谩?/p>

5.2 鍍膜：濺射與蒸發(fā)

在等離子體-磁控濺射系統(tǒng)中，來自等離子體的離子撞擊導(dǎo)致金屬靶上的原子從各個角度噴射出來。濺射材料覆蓋在靶材下方的試樣上。濺射材料的軌跡范圍很廣，這對于SEM試樣來說是非常理想的，因?yàn)榻饘賹⒏采w大部分表面，防止成像過程中產(chǎn)生電荷。

然而，對于光刻技術(shù)來說，通常不希望在確定圖案的電阻壁側(cè)面進(jìn)行涂層，因?yàn)檫@可能會在升空后導(dǎo)致邊緣粗糙，或者如果邊緣涂層太厚，圖案的某些部分可能根本無法剝離。對于較大的圖案來說，邊緣粗糙可能不是什么大問題，但在對非常小的特征進(jìn)行升空時，擁有干凈的側(cè)壁就變得非常重要。

圖2顯示了濺射過程示意圖和濺射后圖案的橫截面圖。

圖 2：(a) 濺射過程示意圖；(b) 濺射鍍膜后圖案的橫截面圖

如圖3所示，在熱蒸發(fā)過程中，源材料被放置在舟形或燈絲線圈中，利用電流對其進(jìn)行加熱。也可以使用電子束濺射系統(tǒng)，該系統(tǒng)使用電子束加熱源材料中的局部光點(diǎn)。樣品可以放置在源材料的上方或下方，具體取決于所使用的設(shè)備。蒸發(fā)的材料幾乎是準(zhǔn)直的，因此與濺射相比，不太可能覆蓋圖案的兩側(cè)。這使得去除光刻膠后的邊緣更整潔，這對高分辨率圖案制作至關(guān)重要。

不過，即使是準(zhǔn)直沉積，也必須注意確保沉積材料以接近正常入射角的角度入射，否則沉積材料可能會覆蓋部分側(cè)壁，或無法到達(dá)光刻膠厚度與特征尺寸之間具有較高縱橫比的窄特征底部。

圖3. (a) 顯示的是絲狀蒸發(fā)過程的示意圖；舟狀蒸發(fā)過程與此類似，只是樣品位于源材料之上；(b) 顯示的是使用蒸發(fā)法涂覆圖案后的橫截面圖

5.3 蝕刻

可以使用多種蝕刻方法，包括濕化學(xué)蝕刻和反應(yīng)離子蝕刻，根據(jù)蝕刻方法的不同，蝕刻可能是各向同性或非各向同性的。一般來說，光刻膠將用于保護(hù)基底的部分區(qū)域，而暴露的區(qū)域?qū)⒈晃g刻掉。蝕刻時的一個重要問題是，與光刻膠的蝕刻速率相比，基底的蝕刻速率相對較低。在某些情況下，如果光刻膠不能用作適當(dāng)?shù)奈g刻掩膜，則會使用額外的一層作為最終蝕刻掩膜，而光刻膠則用于對中間層進(jìn)行圖案化。

6 檢查圖案以及正確書寫

對于初學(xué)者來說，在每個樣品上繪制一個標(biāo)準(zhǔn)圖案是非常有用的（比如下面示例的"輪子"圖案），這是一種非常有效的診斷工具，因?yàn)樗梢院苋菀椎刈R別出由于電子束聚焦不良和/或像散造成的圖案問題。

圖案曝光正確時，線條應(yīng)筆直，邊緣清晰，粗細(xì)均勻。電子束單線通過的最終線寬主要取決于光刻膠、書寫過程中的電子束聚焦/像散以及應(yīng)用的線劑量。圖4顯示了一個正確刻線的例子?！拜喿印眱?nèi)部略深的楔形區(qū)域表明，該區(qū)域在觀察時正在帶電。這表明涂層沒有覆蓋圖案的兩側(cè)，在去除光刻膠時很可能會完全脫落。

圖 4正確書寫的輪廓圖案示例

7 電子束光刻的常見問題

通過查看診斷圖案可以確定幾種類型的錯誤。圖案生成過程中最常見的三種錯誤是電子束像散、聚焦不良以及曝光過度和曝光不足。通常情況下，對于新用戶來說，圖案曝光問題是由于電子束優(yōu)化不佳造成的，但隨著用戶對電鏡操作的熟練程度提高，情況也會有所改善。系統(tǒng)性問題，例如線噪聲、無效的電子束消隱或電鏡本身的一般問題，通常會對圖案的結(jié)果產(chǎn)生明顯的影響。

7.1 圖案生成過程中最常見的三種錯誤：

1.像散：像散是指電子束的橫截面拉長，如圖5中的橢圓形，而不是理想的圓形。當(dāng)電子束沿著橢圓的長軸方向（圖5a 中為垂直方向）從一點(diǎn)移動到另一點(diǎn)時，所有的外加劑量都會沿著電子束的狹窄路徑照射。然而，當(dāng)電子束沿橢圓形的短軸方向（圖5a 中為水平方向）移動時，劑量會沿線路照射到更寬的區(qū)域。這種效應(yīng)會在圖案中產(chǎn)生 90? 的不對稱，在車輪圖案中尤其容易識別。圖5a 顯示了沿長軸和短軸方向的劑量分布示意圖。圖5b 顯示了用 PMMA 書寫的車輪圖案的實(shí)際曝光情況。在這種情況下，拉長的橫梁位于車輪 5-11 點(diǎn)鐘和 6-12 點(diǎn)鐘輻條之間，90? 不對稱非常明顯。這是典型的電子束像散圖案。

圖5. (a) 顯示電子束形狀如何影響應(yīng)用劑量的示意圖；以及(b) 顯示像散電子束影響的輪廓圖

2.聚焦不良：當(dāng)電子束不能很好地聚焦在光刻膠表面時，大的特征只會產(chǎn)生很小的影響，角上的半徑會比預(yù)期的大。然而，當(dāng)使用失焦電子束書寫窄線時，會產(chǎn)生很大的變化。一般來說，聚焦不良會導(dǎo)致窄線的應(yīng)用劑量分散到比預(yù)期更大的區(qū)域。如果譜線劑量接近書寫最小譜線的臨界劑量，這種擴(kuò)大將導(dǎo)致譜線曝光不足。

當(dāng)線條劑量遠(yuǎn)高于臨界劑量時，電子束的增寬將使曝光的線條大于預(yù)期。在這兩種情況下，電子束單次通過的任何交界處都會有效地接收到雙倍劑量，與附近的線條相比，通常會顯得 "發(fā)亮"。圖7 顯示的是在 PMMA 中寫入的輪廓圖案，焦點(diǎn)略有降低。在這種情況下，圖案的線條略微曝光不足，而交界處則曝光過度。這是電子束聚焦不良的典型表現(xiàn)。

3. 曝光**：**曝光過度會導(dǎo)致圖案放大，或者在極端情況下，正極光刻膠受到的劑量足以使其交聯(lián)，顯影效果與負(fù)極光刻膠相同。圖7顯示了放大圖案和正/負(fù)極圖案的圖像。在這種情況下，中心白點(diǎn)是 PMMA 交聯(lián)的地方，因?yàn)?2 倍劑量，12條線從中心開始，整個中心區(qū)域因高劑量而放大。當(dāng)施加的劑量過小時，所產(chǎn)生的曝光線會變淺和/或不連續(xù)。

圖7. 電子束失焦時寫入的輪廓圖（左）；使用高劑量寫入的輪廓圖（右）

一般來說，編寫一個圖案陣列是非常有用的，在這個陣列中，應(yīng)用的劑量系統(tǒng)地從過低劑量逐步過渡到過高劑量。通過這種方法，新操作者可以快速識別由不同劑量造成的結(jié)構(gòu)范圍。

4.總結(jié)：電子束像散會導(dǎo)致成像分辨率下降，造成加工圖案模糊不清、失真或邊緣模糊等問題；聚焦不良會導(dǎo)致成像模糊、失真和圖案精度下降等問題；曝光劑吸收不均勻會導(dǎo)致圖案邊緣效應(yīng)，如正向鄰近效應(yīng)和負(fù)向鄰近效應(yīng)，影響圖案的精度和清晰度。

7.2 外部因素

電鏡外部的干擾源（如聲學(xué)噪聲、物理振動或電磁場）會導(dǎo)致波浪線或中斷線。一般來說，解決辦法是找出并消除干擾源，或屏蔽電鏡，使其不受噪音影響?？梢酝ㄟ^在墻壁上使用隔音泡沫和/或在電鏡的整個柱子周圍增加隔音罩來降低噪音。通過在整個鏡筒上使用空氣支撐系統(tǒng)或在柱子和地板之間添加泡沫或橡膠墊，可以最大限度地減少物理振動。

干擾電子束的電磁場通常是由其他房間的設(shè)備或穿過天花板或地板的電線造成的。這些電磁場會使電子束在電磁場頻率下發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而導(dǎo)致圖案書寫失真。解決方法包括將電鏡移到更好的位置、移動或屏蔽干擾源、在鏡筒和/或室周圍安裝磁屏蔽（μ-金屬）以及安裝主動場消除系統(tǒng)，該系統(tǒng)可引入磁場以消除外部噪音。

7.3 電子束光刻還包括以下的常見問題

1.位置漂移問題：電子束在長時間運(yùn)行中可能會出現(xiàn)位置漂移，導(dǎo)致成像不準(zhǔn)確。定期進(jìn)行系統(tǒng)校準(zhǔn)以減少位置漂移。遵循正確的操作步驟以減少位置漂移的發(fā)生。

2.邊緣效應(yīng)：電子束光刻在圖案的邊緣可能會出現(xiàn)模糊或形變，這可能與散射、電子束形狀等因素有關(guān)。改變加工參數(shù)以減少邊緣效應(yīng)的影響，如調(diào)整電子束的形狀和大小。在設(shè)計(jì)階段考慮到邊緣效應(yīng)，采用補(bǔ)償技術(shù)或特殊設(shè)計(jì)來減輕影響。

3.殘?jiān)鼏栴}：電子束光刻后可能會留下未完全去除的曝光劑殘留物，影響器件的性能。改進(jìn)清潔過程，確保殘留物完全去除。選擇更易清除的曝光劑可以減少殘?jiān)鼏栴}的發(fā)生。

4.成本問題：電子束光刻設(shè)備和曝光劑的成本較高，特別是針對小批量生產(chǎn)。優(yōu)化生產(chǎn)計(jì)劃以提高設(shè)備利用率，降低成本?？紤]使用更便宜的材料或工藝，或者與其他廠商合作以降低成本。



審核編輯：劉清