據(jù)調(diào)研公司 TrendForce 數(shù)據(jù)顯示,展望至 2024年末,全球DRAM行業(yè)HBM TSV(硅通孔)的實際產(chǎn)量預(yù)計將提升至25萬噸/每分鐘,約占全球DRAM總量的14%。值得注意的是,HBM供應(yīng)量在這幾年間逐年增長,年增長率高達260%。另據(jù)估計,2023年輕,HBM的產(chǎn)值在整個DRAM行業(yè)內(nèi)所占比重約為8.4%,但到2024年末,這個比例將上升至20.1%。
擔(dān)任分析師職務(wù)的人員對于HBM的面貌做出解釋,指出與同等容量和制程的 DDR5比較,HBM雖然能提供更大的尺寸儲存空間,然而其良品率卻相對較低,普遍低20%-30%。在生產(chǎn)周期上,相比于 DDR5,HBM的制造過程(包括TSV)要更為復(fù)雜,通常需多耗時1.5~2個月。
由于HBM生產(chǎn)周期較長,從投片到完成產(chǎn)出、封裝的過程綜合下來可能超過兩個季度,因此提前預(yù)訂的購買者才能保證足夠的供貨需求。
據(jù)該公司所得信息,大部分針對2024年度的訂單都已交付給供應(yīng)商。
同時,該研究機構(gòu)也對主要的HBM制造商預(yù)設(shè)的HBM/TSV產(chǎn)能進行預(yù)測,如三星年內(nèi)每分鐘HBM TSV產(chǎn)量或?qū)⒏哌_13萬噸,緊接著是SK海力士,產(chǎn)能估算范圍為12-12.5萬噸,美光稍顯不足,預(yù)期產(chǎn)能僅有2萬噸。當(dāng)前,三星、sk海力士兩大廠計劃增加HMB產(chǎn)能最為積極,特別是SK海力士在HBM3市場的份額已經(jīng)超過90%,而三星將連續(xù)多個季度持續(xù)增加產(chǎn)能,該舉措將得益于 AMD MI300芯片的逐步推廣和銷售量的穩(wěn)定增長。
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