英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點(diǎn)

CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng)，可靠性提高。

產(chǎn)品型號(hào)：

IMYH200R012M1H

IMYH200R024M1H

IMYH200R050M1H

IMYH200R075M1H

IMYH200R0100M1H

產(chǎn)品特點(diǎn)

VDSS=2000V，可用于最高母線(xiàn)電壓為1500VDC系統(tǒng)

開(kāi)關(guān)損耗極低

創(chuàng)新的HCC封裝

針腳間爬電距離為14毫米

5.4毫米電氣間隙

柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V

用于硬換流的堅(jiān)固體二極管

.XT互聯(lián)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)同類(lèi)最佳的散熱性能

高耐濕性

應(yīng)用價(jià)值

市場(chǎng)上首款分立式碳化硅MOSFET器件，阻斷電壓高達(dá)2000V

1500V的DC的變流器可以用兩電平實(shí)現(xiàn)

與1700V SiC MOSFET相比，1500 VDC系統(tǒng)具有足夠的過(guò)壓裕量

創(chuàng)新的TO-247封裝，具有高爬電距離和間隙

應(yīng)用領(lǐng)域

光伏逆變器

儲(chǔ)能系統(tǒng)

電動(dòng)汽車(chē)充電

審核編輯：劉清