淺析CMOS電路的靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗

1. 簡介

CMOS電路功耗主要由動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗組成，動態(tài)功耗又分為開關(guān)功耗、短路功耗兩部分

2. 靜態(tài)功耗

靜態(tài)功耗也稱為待機(jī)功耗，包含有電路中晶體管的漏電流所導(dǎo)致的功耗

3. 動態(tài)功耗

3.1 開關(guān)功耗

動態(tài)功耗包括：開關(guān)功耗或稱為反轉(zhuǎn)功耗、短路功耗或者稱為內(nèi)部功耗；

開關(guān)功耗：電路在開關(guān)過程中對輸出節(jié)點的負(fù)載電容充放電所消耗的功耗。比如對于下面的CMOS非門中：

當(dāng)Vin=0時，PMOS管導(dǎo)通，NMOS管截止；VDD對負(fù)載電容Cl進(jìn)行充電；

當(dāng)Vin=1時，PMOS管截止，NMOS管導(dǎo)通；VDD對負(fù)載電容Cl進(jìn)行放電；

這樣開關(guān)的變化，電源的充放電，形成了開關(guān)功耗，開關(guān)功耗的計算公式如下， 并且通過這個式子我們可以只要有時鐘，或者信號跳變，就存在開關(guān)功耗，也就是動態(tài)功耗

在上式中，VDD為供電電壓，Cload為后級電路等效的電容負(fù)載大小，Tr為輸入信號的翻轉(zhuǎn)率，也有另外一種寫法，f為時鐘頻率，一個周期信號翻轉(zhuǎn)兩次，所以這里沒有 1/2;

它與電路的工作頻率成正比，與負(fù)載電容成正比，與電壓的平方成正比。

3.2 短路功耗

由于輸入電壓波形并不是理想的階躍輸入信號，有一定的上升時間和下降時間，在輸入波形上升下降的過程中，在某個電壓輸入范圍內(nèi)，NMOS和PMOS管都導(dǎo)通，這時就會出現(xiàn)電源到地的直流導(dǎo)通電流，這就是開關(guān)過程中的短路功耗。

短路功耗產(chǎn)生的條件一樣是需要信號產(chǎn)生跳變。

3. 靜態(tài)功耗

在CMOS電路中，靜態(tài)功耗主要是漏電流引起的功耗

對于常規(guī)cmos電路，在穩(wěn)態(tài)時不存在直流導(dǎo)通電流，理想情況下靜態(tài)功耗為0，但是由于泄露電流的存在，使得cmos電路的靜態(tài)功耗并不為0。一般情況下，漏電流主要是指柵極泄漏電流和亞閾值電流, CMOS泄露電流主要包括：

PN結(jié)反向電流I1（PN-junction Reverse Current）

源極和漏極之間的亞閾值漏電流I2（Sub-threshold Current）

柵極漏電流，包括柵極和漏極之間的感應(yīng)漏電流I3（Gate Induced Drain Leakage）

柵極和襯底之間的隧道漏電流I4（Gate Tunneling）

柵極泄漏功耗：在柵極上加信號后（即柵壓），從柵到襯底之間存在電容，因此在柵襯之間就會存在有電流，由此就會存在功耗。

亞閾值電流：使柵極電壓低于導(dǎo)通閾值，仍會產(chǎn)生從FET漏極到源極的泄漏電流。此電流稱為亞閾值泄漏電流。要降低亞閾值電流，可以使用高閾值的器件，還可以通過襯底偏置進(jìn)行增加閾值電壓，這些屬于低功耗設(shè)計。

靜態(tài)功耗的計算公式如下，Ipeak為泄漏電流：

4. 低功耗設(shè)計

4.1 RTL級

1.并行結(jié)構(gòu)：并行結(jié)構(gòu)一定程度可以減低某一區(qū)域的頻率，從而可能降低功耗。

2.流水結(jié)構(gòu)：“路徑長度縮短為原始路徑長度的1 /M。這樣，一個時鐘周期內(nèi)充/放電電容變?yōu)镃/M。如果在加入流水線之后，時鐘速度不變，則在一個周期內(nèi)，只需要對C/M進(jìn)行充/放電，而不是原來對C進(jìn)行充/放電。因此，在相同的速度要求下，可以采用較低的電源電壓來驅(qū)動系統(tǒng)?！?/p>

3.優(yōu)化編碼：通過數(shù)據(jù)編碼來降低開關(guān)活動，例如用格雷碼取代二進(jìn)制。

4.操作數(shù)隔離：“操作數(shù)隔離的原理就是：如果在某一段時間內(nèi)，數(shù)據(jù)通路的輸出是無用的，則將它的輸入置成個固定值，這樣，數(shù)據(jù)通路部分沒有翻轉(zhuǎn)，功耗就會降低?！?/p>

4.2 門級電路

1.門控時鐘技術(shù)：芯片工作時，很大一部分功耗是由于時鐘網(wǎng)絡(luò)的翻轉(zhuǎn)消耗的，控技術(shù)基本原理就是通過關(guān)閉芯片上暫時用不到的功能和它的時鐘，從而實現(xiàn)節(jié)省電流消耗的目的，門控時鐘對翻轉(zhuǎn)功耗和內(nèi)部功耗的抑制作用最強，是低功耗設(shè)計中的一種最有效的方法。

2.多電壓供電

3.多閾值電壓

根據(jù)多閾值電壓單元的特點，為了滿足時序的要求，關(guān)鍵路徑中使用低閾值電壓的單元(low Vt cells)，以減少單元門的延遲，改善路徑的時序。而為了減少靜態(tài)功耗，在非關(guān)鍵路徑中使用高閾值電壓的單元(high Vt cells)，以降低靜態(tài)功耗。因此，使用多閾值電壓的工藝庫，我們可以設(shè)計出低靜態(tài)功耗和高性能的設(shè)計。

4.動態(tài)電壓調(diào)節(jié)

5.動態(tài)頻率調(diào)節(jié)

審核編輯：劉清