電平移位
優(yōu)點:高性價比,高可靠性,自舉供電,靜態(tài)電流小 IQ (~uA)等
缺點: <1500V應用,抗擾度50V/ns
電容隔離
優(yōu)點: 更高耐壓,CMTI更高 (>100V/ns)等
缺點: 成本較高,需隔離電源,靜態(tài)電流大 IQ (~mA)
?
PN7113ASE-A1
◆ 高壓Level shift電平移位半橋架構,浮置工作電壓超600V
◆高側自舉Bootstrap供電
◆工作電壓10V~20V
◆輸入電平兼容3.3V/5V
◆高低側均設欠壓保護
◆VS負偏壓能力達-8V
◆ 互鎖Interlock防直通輸出功能
01
優(yōu)異的高壓動態(tài)延時表現(xiàn), 滿足大功率高頻應用
在高側浮置電平600V滿電壓范圍下(VS=600V,VB=615V),PN7113A芯片測試典型開通延時tDON=79.6ns, TDOFF=80ns,以及脈寬失配時間都優(yōu)于國際產(chǎn)品。穩(wěn)定較快的動態(tài)延時可以使得系統(tǒng)無懼高頻應用。
圖2 600V工作情況下的開通波形(PN7113A: tDON=79.6ns)
圖3 600V工作情況下的關斷波形(PN7113A: TDOFF=80ns)
圖4 600V工作情況下的開通波形(國際P2P產(chǎn)品:tDON=82ns)
圖5 600V工作情況下的關斷波形(國際P2P產(chǎn)品:TDOFF=80.8ns)
圖2和圖3分別所示的是VS=600V下的開通與關斷波形。圖4和圖5分別所示的是國際P2P產(chǎn)品在VS=600V下的開通與關斷波形。
02
優(yōu)異的功耗表現(xiàn),提升系統(tǒng)工作效率
圖6 400V高負荷極限運行(PN7113A殼溫:45.7℃)
圖7 400V高負荷極限運行(國際P2P兼容產(chǎn)品殼溫:53.5℃)
PN7113A采用了低功耗技術。在VCC/VBS=
15V、VBUS=400V工況下,帶載系統(tǒng)測試,將芯片工作頻率提升至120kHz,高低側同時工作,持續(xù)工作1小時,PN7113A芯片殼溫度45.7℃,同國際P2P產(chǎn)品殼溫53.5℃。
03
優(yōu)異的窄脈沖特性,實現(xiàn)精準控制
為了提升系統(tǒng)應用,在極端應用工況下,芯片需要在非常小脈寬下工作,PN7113A高低側具有優(yōu)異的窄脈沖特性。
圖8 HIN最小輸入窄脈沖
(PN7113A高側窄脈沖輸入/輸出:50ns/51ns)
圖9 LIN最小輸入窄脈沖
(PN7113A低側窄脈沖輸入/輸出:50ns/51ns)
圖10 HIN最小輸入窄脈沖(國際P2P產(chǎn)品 高側窄脈沖輸入/輸出:50ns/60ns)
圖11 LIN最小輸入窄脈沖(國際P2P產(chǎn)品 低側窄脈沖輸入/輸出:50ns/76ns)
如圖8和圖9所示,PN7113A高低側最小響應輸入脈寬為50ns,高低側輸出脈寬為51ns,在最小響應脈寬50ns條件下的輸入輸出匹配性優(yōu)于國際P2P產(chǎn)品。
04
強勁的驅動能力,拓寬應用范圍
圖12 高側拉灌電流能力
(PN7113A瞬時充放電流測試: 2.8/3.1A)
圖13 低側拉灌電流能力
(PN7113A瞬時充放電流測試: 2.8/3.1A)
圖14 高側拉灌電流能力
(國際P2P產(chǎn)品 瞬時充放電流測試: 2.0/2.5A)
圖15 低側拉灌電流能力
(國際P2P產(chǎn)品 瞬時充放電流測試: 2.0/2.6A)
如圖12和圖13所示,PN7113A高低側瞬態(tài)拉罐電流可達2.8A和3.1A,圖14和圖15為國際P2P產(chǎn)品高低測瞬態(tài)拉罐電流(2.0A/2.5A);關斷電流大于開通電流,從而降低系統(tǒng)的開關損耗。
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原文標題:新突破!芯朋微國內(nèi)首推高速高效600V HVIC
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