據(jù)日經(jīng) xTECH報道,東京時間4月7日,鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會春季學(xué)術(shù)演講會上表示,公司計劃于2030至2031年間推出1000層的3D NAND閃存芯片,與此同時,他們也對存儲級內(nèi)存(SCM)部門進(jìn)行了重大調(diào)整。
目前,鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術(shù),他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存,這項產(chǎn)品能達(dá)到的傳輸速度高達(dá)3200MT/s。
韓國三星作為另一大NAND廠商,早在去年就已經(jīng)在技術(shù)日上透露,預(yù)計在2030年推出超過1000層的3D NAND閃存。
然而,想要實現(xiàn)更高的堆疊層次并非易事,尤其是在進(jìn)行垂直通道刻蝕時會遇到挑戰(zhàn)。隨著工藝要求一步步提高,蝕刻深寬比的難度也在增加,但這不僅需要極高的技術(shù)水平,更需要付出巨大的成本。
為了解決這些問題,鎧俠在BICS8中采用了獨特的雙堆棧工藝,這樣可以分別完成兩座NAND堆棧的垂直通道刻蝕,從而減輕了單項目前滿足1小時蝕刻需求所需的工作強度和成本壓力。雖然如此,未來千層堆疊的NAND閃存有可能包含多個NAND堆棧。
另外,宮島英史認(rèn)為,盡管鎧俠在同時經(jīng)營NAND和DRAM方面具有多元化的優(yōu)勢,但相較于其他競爭對手他們?nèi)暂^為依賴NAND技術(shù),因此他們擬發(fā)展包括SCM在內(nèi)的多種新型存儲產(chǎn)品以提升競爭力。他解釋說,在AI盛行的當(dāng)下,DRAM和NAND之間的性能差異已經(jīng)越來越明顯,而SCM正好可以填補這個空缺。
今年4月1日,鎧俠將原有的“存儲器技術(shù)研究實驗室”重組成了專注于新型存儲研究的“先進(jìn)技術(shù)研究實驗室”。新實驗室將重點研究MRAM、FeRAM、ReRAM等各種新型內(nèi)存方案。據(jù)了解,鎧俠已在XL-FLASH閃存方案上投入大量精力,最近更是推出了第二代XL-FLASH閃存,支持MLC模式。
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