華太推出首款高功率高耐壓射頻功放器件—HTH8G02P1K4H(B)

在當(dāng)今社會(huì)，射頻（RF）技術(shù)的進(jìn)步和應(yīng)用已經(jīng)深入到我們?nèi)粘Ｉ畹姆椒矫婷?，尤其是?a href="http://www.ttokpm.com/v/" target="_blank">工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療（ISM）領(lǐng)域中，射頻器件的應(yīng)用促進(jìn)了這些領(lǐng)域技術(shù)的飛速發(fā)展。從加速日常物品的生產(chǎn)過程到提升醫(yī)療診療的效率和安全性，再到推動(dòng)科學(xué)研究的邊界，射頻技術(shù)在背后發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。

ISM系統(tǒng)解決方案涵蓋了數(shù)千種不同的應(yīng)用，這些應(yīng)用的操作頻率范圍廣泛，通常從直流（DC）延伸至600MHz，覆蓋了從高頻（HF）到甚高頻（VHF）乃至超高頻（UHF）的頻段。在這些多樣的ISM應(yīng)用中，由于時(shí)間、材料變化和不同的處理過程，負(fù)載往往呈現(xiàn)出高度的可變性。這種可變性要求RF功率放大器（RFPA）必須具備極端條件下的高度魯棒性，以應(yīng)對(duì)各種挑戰(zhàn)性的工作環(huán)境。

在射頻功率LDMOS技術(shù)中，更高的供電電壓使得解決方案制造者能夠通過較少的元件組合達(dá)到更高的功率水平，從而提高整個(gè)系統(tǒng)的效率、降低成本和減小尺寸。隨著工作電壓提高輸出功率更大，晶體管的阻抗變得更小，這對(duì)于器件的設(shè)計(jì)能力提出了更高的要求。華太目前掌握了從半導(dǎo)體工藝、器件、芯片、封裝結(jié)構(gòu)再到放大器模組的整體方案設(shè)計(jì)能力，為終端客戶提供快速、高性能、高可靠的解決方案。

HTH8G02P1K4H(B)是華太推出的首款高功率高耐壓射頻功放器件，專為高失配電壓駐波比(VSWR)條件下的使用而設(shè)計(jì)，通常用于工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)(ISM)應(yīng)用。器件輸入/輸出均是unmatch設(shè)計(jì)支持1.8到200MHz的頻率使用。該器件提供了>78%的典型效率和>27dB的高增益，具體增益根據(jù)工作頻帶的寬窄有一定的差異。與其30W驅(qū)動(dòng)放大器HTH7G14S030HB結(jié)合使用時(shí)，整體解決方案提供了優(yōu)異的性能，且成本頗具競爭力。

50V和65VLDMOS產(chǎn)品系列

高擊穿電壓

增強(qiáng)魯棒性設(shè)計(jì)

適用于單端或Push-Pull架構(gòu)等多種形式

高功率高效率高可靠性

內(nèi)部集成的增強(qiáng)ESD設(shè)計(jì)

優(yōu)異的熱穩(wěn)定性

符合RoHS規(guī)范