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在EV中使用第4代SiC MOSFET:裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 來(lái)源:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 2024-04-17 14:06 ? 次閱讀

關(guān)鍵要點(diǎn)

?使用電機(jī)試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試結(jié)果,按照油耗測(cè)試方法WTLC進(jìn)行了模擬行駛仿真,確認(rèn)了第4代SiC MOSFET對(duì)電耗的改善效果。

?WLTC測(cè)試循環(huán)的各個(gè)速度段的電耗均可得到改善,與使用IGBT時(shí)相比,整體電耗改善約6%,市區(qū)模式下改善約10%。

?給用戶帶來(lái)的效益包括可以降低單位行駛里程的運(yùn)行成本(電力成本)以及可以使用電池容量更小的電池。

在“EV應(yīng)用”一文中,我們通過(guò)BEV電源架構(gòu)的組成部分之一“牽引逆變器”,介紹了在其中使用第4代SiC MOSFET的效果。

第4代SiC MOSFET的特點(diǎn)

在降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器中使用第4代SiC MOSFET的效果

>電路工作原理和損耗分析

>DC-DC轉(zhuǎn)換器實(shí)機(jī)驗(yàn)證

在EV應(yīng)用中使用第4代SiC MOSFET的效果

>EV應(yīng)用

>裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)

> 圖騰柱PFC實(shí)機(jī)評(píng)估

在EV應(yīng)用中使用第4代SiC MOSFET的效果

裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)

本文將介紹牽引逆變器的基本工作和在EV中的評(píng)估系統(tǒng)(電機(jī)試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試環(huán)境)。然后,我們將使用其測(cè)試結(jié)果,按照乘用車油耗測(cè)試方法WTLC實(shí)施模擬行駛仿真,并通過(guò)示例來(lái)了解使用第4代SiC MOSFET改善電耗的效果。

逆變電路的工作

隨著機(jī)電一體化(電機(jī)、減速器、逆變器)進(jìn)程加速,降低損耗在實(shí)現(xiàn)高電壓、高輸出、小型輕量逆變器中的重要性日益凸顯。這是因?yàn)榻档蛽p耗與EV的電耗性能是息息相關(guān)的。

如圖1所示,為了驅(qū)動(dòng)動(dòng)力總成系統(tǒng)中的電機(jī),牽引逆變器會(huì)將電池中存儲(chǔ)的直流電轉(zhuǎn)換為三相交流電。逆變器由三個(gè)半橋結(jié)構(gòu)(每個(gè)半橋是1個(gè)橋臂,共3個(gè)橋臂)組成。三相交流波形按照與電機(jī)轉(zhuǎn)速同步的頻率信號(hào)波(基準(zhǔn)正弦波)設(shè)置,三角波(調(diào)制波)按照決定開關(guān)頻率的載波頻率設(shè)置。提供給電機(jī)的電壓是通過(guò)在生成PWM信號(hào)的過(guò)程中改變?nèi)嘟涣麟姾腿遣ǖ碾娖絹?lái)實(shí)現(xiàn)的。

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圖1. 常見的逆變器電路結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)信號(hào)

電機(jī)試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試環(huán)境

表1中列出了電機(jī)試驗(yàn)臺(tái)以及供試逆變器中搭載的SiC器件的主要規(guī)格。供試逆變器由內(nèi)置第4代SiC MOSFET裸芯片的二合一功率模塊組成。

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表1. 電機(jī)實(shí)驗(yàn)臺(tái)及供試逆變器主要規(guī)格

圖2為電機(jī)試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試環(huán)境,圖3為供試逆變器(DUT Inverter),圖4為控制系統(tǒng)框圖。通過(guò)供試逆變器的三相UVW動(dòng)力線來(lái)驅(qū)動(dòng)供試電機(jī)。供試電機(jī)與負(fù)載電機(jī)連接,負(fù)載電機(jī)根據(jù)車輛參數(shù)計(jì)算出的行駛阻力進(jìn)行負(fù)載扭矩控制,可進(jìn)行目標(biāo)車輛參數(shù)的模擬行駛實(shí)驗(yàn)。

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圖2.電機(jī)試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試環(huán)境

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圖3. 供試逆變器(DU TInverter)

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圖4. 電機(jī)試驗(yàn)臺(tái)控制系統(tǒng)框圖

關(guān)于行駛阻力,如圖5和公式(1)~(4)所示,考慮到了空氣阻力FAD、滾動(dòng)阻力FRR、坡道阻力FRG、加速阻力FACC。

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圖5.行駛阻力

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Cd:空氣阻力系數(shù)

A:正面投影面積

ρ:干燥空氣密度

μ:滾動(dòng)阻力系數(shù)

m:車輛重量

Δm:旋轉(zhuǎn)體的等效慣性質(zhì)量

α:加速度 v:車速

g:重力加速度

模擬行駛所用的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)WLTC模式油耗測(cè)試

圖6所示的WLTC(Worldwide harmonized Light duty driving Test Cycle:全球統(tǒng)一輕型車輛測(cè)試循環(huán))是乘用車等的尾氣排放量和油耗測(cè)試方法(WLTP:Worldwide harmonized Light vehicles Test Procedure)中規(guī)定的車輛行駛測(cè)試循環(huán)。

WLTP是由聯(lián)合國(guó)歐洲經(jīng)濟(jì)委員會(huì)在2014年舉辦的第162屆聯(lián)合國(guó)世界車輛法規(guī)協(xié)調(diào)論壇(WP29)上被采用為全球統(tǒng)一汽車技術(shù)法規(guī)(GTR:Global Technical Regulation)的。該循環(huán)由低速、中速、高速和超高速(Low、Middle、High、Extra-High)四個(gè)部分組成,在日本,檢測(cè)供試車輛的尾氣排放量和油耗時(shí)不包括超高速(Extra-High)段的測(cè)試循環(huán)。

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圖6. WLTC(世界統(tǒng)一測(cè)試循環(huán))概要

使用前述的電機(jī)試驗(yàn)臺(tái),輸入基于WLTC測(cè)試循環(huán)的模擬行駛測(cè)試條件,在逆變器中分別使用了第4代SiC MOSFET和IGBT的兩種情況下,進(jìn)行了行駛電耗測(cè)試。

圖7是針對(duì)C級(jí)EV的電耗測(cè)試結(jié)果。結(jié)果證明,如果用第4代SiC MOSFET取代傳統(tǒng)的IGBT,可以改善WLTC測(cè)試循環(huán)各個(gè)速度段的電耗。與使用IGBT時(shí)相比,整體電耗改善約6%,市區(qū)模式下改善約10%。

作為參考,在圖8中提供了逆變器效率MAP圖(在NT曲線基礎(chǔ)上增加了效率信息)。從這里的結(jié)果也可以看出,在市區(qū)行駛模式中經(jīng)常出現(xiàn)的高扭矩和低轉(zhuǎn)速范圍內(nèi),效率顯著提升。

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圖7. 電耗測(cè)試結(jié)果

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圖8. WLTC 油耗測(cè)試中的逆變器效率 MAP 圖

下面我們舉例來(lái)說(shuō)明改善電耗可以給用戶帶來(lái)哪些效益。從“可以降低單位行駛里程的運(yùn)行成本(電力成本)”和“可以使用電池容量更小的電池”兩方面來(lái)考慮可能更易于理解。表3是在郊區(qū)模式下的推算的效益示例。與使用IGBT時(shí)相比,假設(shè)電耗改善5.5%,就意味著1萬(wàn)公里的行駛里程可以節(jié)省2,000日元,采用100kWh的電池可以節(jié)省5.5萬(wàn)日元(表2)。

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表2. 電耗改善與用戶效益



審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:R課堂 | 在EV應(yīng)用中使用第4代SiC MOSFET的效果:裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)

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