三星研究建DRAM內(nèi)存廠，但選封裝技術(shù)

據(jù)韓媒Alphabiz報道，三星電子原本有意在美國建立DRAM內(nèi)存晶圓廠，然而因多種原因改變計劃，改為建立先進(jìn)封裝設(shè)施。

近期達(dá)成的初步協(xié)議顯示，三星電子將從美國獲得總計高達(dá)64億美元（相當(dāng)于約464億元人民幣）的補貼，用于建設(shè)位于得克薩斯州泰勒市的兩大先進(jìn)邏輯代工廠、一座先進(jìn)封裝工廠以及一座先進(jìn)制程研發(fā)設(shè)施。

據(jù)悉，三星電子原計劃在泰勒市設(shè)立一家10納米級別的DRAM內(nèi)存晶圓廠，并在協(xié)議簽署前進(jìn)行了深入討論。

美國為該項目提供了優(yōu)惠政策，三星方面也表現(xiàn)出濃厚興趣。然而，由于諸多因素影響，如技術(shù)難度大、成本高等，以及韓國政府的反對，該建廠計劃未能實現(xiàn)。

另外，美國與泰勒市均對先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)的環(huán)保審批表示支持，因此三星電子決定轉(zhuǎn)向建設(shè)先進(jìn)封裝工廠。

業(yè)界人士指出，相較于美國，韓國對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持力度不足，這也是三星電子考慮在美設(shè)廠的原因之一。若韓國政府無法展現(xiàn)出足夠的誠意，此類計劃未來仍有可能實現(xiàn)。