據(jù)悉,中芯國際集成電路制造(上海)有限公司近期獲得一項關(guān)于“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”的專利,專利號為CN111370488B,于2024年4月16日正式生效,其申請日期是2018年12月26日。
該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法主要包含以下步驟:首先,需制備基底,其中含有器件區(qū)及位于兩側(cè)的隔離區(qū);之后進(jìn)行基底圖案化,制作出襯底及突出于襯底的鰭部;接著,在器件區(qū)兩側(cè)形成突出于隔離區(qū)襯底的第一偽鰭部;最后,在鰭部與第一偽鰭部暴露的襯底上形成隔離層,并覆蓋鰭部部分側(cè)壁。通過這種方式,第一偽鰭部的設(shè)計能提高各鰭部周邊區(qū)域的圖形密度均勻性,進(jìn)而改善器件區(qū)隔離層的厚度均勻性,同時降低鰭部彎曲或傾斜的可能性,進(jìn)一步提升半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電氣性能。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
相關(guān)推薦
p型半導(dǎo)體(也稱為空穴半導(dǎo)體)的形成是一個涉及半導(dǎo)體材料摻雜和物理性質(zhì)變化的過程。以下是對p型半導(dǎo)體形成過程的詳細(xì)解析,包括其定義、摻雜原理
發(fā)表于 08-15 17:02
?522次閱讀
該專利涉及一種新型非易失性存儲裝置及其制作工藝。具體而言,其步驟如下:首先,制備包含器件區(qū)與非器件區(qū)的基底;接著,在基底上依次沉積第一電極材料層及絕緣材料層;然后,在絕緣材料層上形成犧牲層,該層覆蓋非器件區(qū)并露出器件區(qū);
發(fā)表于 05-06 10:33
?274次閱讀
該專利主要涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,提出了一種全新的功率模塊、封裝結(jié)構(gòu)以及電子設(shè)備設(shè)計方案。其中,功率模塊由絕緣基板和半橋結(jié)構(gòu)組成,半橋結(jié)構(gòu)包含相
發(fā)表于 04-22 09:58
?364次閱讀
該發(fā)明提出一種制備半導(dǎo)體器件的新方法,首先需要在基板上制備劃分明確且排列整齊的鰭部;之后在基板上構(gòu)建覆于鰭部之上的偽柵結(jié)構(gòu);再制備并在偽柵結(jié)構(gòu)上方安裝一層第一層間介電層,此層上表面比偽
發(fā)表于 04-03 09:56
?327次閱讀
這個新穎的發(fā)明主要是關(guān)于一款包含以下幾個部分的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu):基底,基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結(jié)構(gòu),隔離結(jié)構(gòu),它處于基底頂部并在電容接觸結(jié)構(gòu)
發(fā)表于 03-14 09:45
?465次閱讀
在此項專利中,申請人展示了一種新型半導(dǎo)體器件及其制作流程。其主要步驟包括先制備出含有第一鈍化層,第一金屬層和第二鈍化層的半導(dǎo)體基體;接著在第
發(fā)表于 02-23 10:00
?388次閱讀
專利摘要據(jù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成的方法中,
發(fā)表于 11-21 15:34
?452次閱讀
根據(jù)專利摘要,該公開提供屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片測試方法、裝置、裝置及存儲介質(zhì)。該方法對半導(dǎo)體
發(fā)表于 11-17 10:08
?711次閱讀
專利摘要顯示,本公開實施例提供了一種封裝結(jié)構(gòu)和封裝方法,涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。該封裝結(jié)構(gòu)包括轉(zhuǎn)接板以及間隔貼裝在轉(zhuǎn)接板上的第一器件、第二器
發(fā)表于 11-06 10:44
?507次閱讀
根據(jù)專利摘要,該實用新型公開了半導(dǎo)體電力配件的單元結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體電力配件。上述細(xì)胞結(jié)構(gòu)包括:第一導(dǎo)電類型的移動區(qū)域有相對設(shè)定的第一表面和第二表
發(fā)表于 10-20 10:13
?598次閱讀
宣布進(jìn)入上會大考,成為證監(jiān)會頒布新規(guī)以來首家上會的半導(dǎo)體企業(yè)。 此前人們擔(dān)心燦芯半導(dǎo)體因為技術(shù)能力、收入可持續(xù)性、高度依賴中芯
發(fā)表于 10-20 01:45
?602次閱讀
宣布進(jìn)入上會大考,成為證監(jiān)會頒布新規(guī)以來首家上會的半導(dǎo)體企業(yè)。 ? 此前人們擔(dān)心燦芯半導(dǎo)體因為技術(shù)能力、收入可持續(xù)性、高度依賴中芯
發(fā)表于 10-19 09:04
?1382次閱讀
中芯國際方面表示:“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點,已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)。”目前主要用于數(shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
發(fā)表于 10-17 09:46
?521次閱讀
專利摘要顯示,本申請公開了一種顯示面板及其制作方法,該顯示面板包括:第一基板、第一金屬層、第一半導(dǎo)體層和第二金屬層,第一基板中第一基板和第一
發(fā)表于 09-27 10:19
?507次閱讀
根據(jù)專利,本發(fā)明提供半導(dǎo)體基板,半導(dǎo)體基板上形成鰭部分,鰭部分形成一層或多層的犧牲層,鰭末端形成
發(fā)表于 09-26 10:12
?796次閱讀
評論