IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種三端子的半導體開關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)的高輸入阻抗和BJT(雙極型晶體管)的低導通壓降特性,因此在高電壓、大電流的電力電子領(lǐng)域中得到了廣泛的應用。
IGBT的基本工作原理
IGBT的基本結(jié)構(gòu)由N溝道MOSFET和PNP雙極型晶體管組成,其導通和關(guān)斷狀態(tài)通過控制柵極電壓來實現(xiàn)。在正向柵極電壓作用下,MOSFET形成溝道,使得P+基極和N-層之間的電流能夠流動,從而為PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導通。當柵極電壓為零或反向時,溝道消失,PNP晶體管的基極電流被切斷,IGBT關(guān)斷。
IGBT的工作原理可以分為以下幾個關(guān)鍵步驟:
1.柵極驅(qū)動 :當在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上正向電壓時,MOSFET導通,形成溝道,電子從發(fā)射極注入到P+基極區(qū)域,形成導電通道。
2.電導調(diào)制 :隨著電子的注入,P+基極區(qū)域的電導率增加,空穴從P+基極區(qū)域注入到N-層,進一步增強了電流的流動。
3.PNP晶體管導通 :由于N-層的電導率增加,PNP晶體管的基極電流增加,使得PNP晶體管導通,從而使得IGBT整體導通。
4.關(guān)斷過程 :當柵極電壓降低或變?yōu)榱銜r,MOSFET內(nèi)的溝道消失,晶體管的基極電流被切斷,PNP晶體管隨之關(guān)斷,IGBT整體關(guān)斷。
IGBT的開關(guān)特性
IGBT是電壓控制器件,因此只需要對柵極施加很小的電壓就可以保持在導通狀態(tài)。由于這些器件是單向的,它們只能在從集電極到發(fā)射極的正向方向上切換電流。IGBT的典型開關(guān)電路如下圖所示,將柵極電壓VG加到柵極引腳上,將電動機(M)從電源電壓V+切換到電源電壓V+。電阻Rs大致用于限制通過電機的電流。
IGBT的輸入特性
IGBT的柵極引腳沒有施加電壓時,IGBT處于關(guān)斷狀態(tài),沒有電流流過集電極引腳。當加在柵極引腳上的電壓超過閾值電壓時,IGBT開始導通,集電極電流IG開始在集電極和發(fā)射極之間流動。集電極電流隨柵極電壓增加,如下圖所示。
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