據(jù)天眼查信息,武漢新芯集成電路制造有限公司近期獲得了一項(xiàng)涉及“圖像傳感器及其制備工藝”的專利,專利編號為CN112397539B,該專利于2024年4月16日正式生效,其申請日期為2020年11月13日。
此項(xiàng)專利提出的圖像傳感器及其制備工藝主要包括以下步驟:首先,在基板上布置若干像素單元,這些像素單元被安置在基板內(nèi)部的第一類型阱區(qū)中;接著,通過刻蝕工藝在相鄰像素單元之間形成隔離溝槽;然后,在隔離溝槽周圍的基板上進(jìn)行第二類型離子注入,使之與第一類型阱區(qū)中的離子形成PN結(jié);最后,使用隔離層填充隔離溝槽。這種設(shè)計(jì)將深度溝槽隔離(DTI)與離子注入形成PN結(jié)隔離相結(jié)合,在隔離溝槽周圍的基板內(nèi)形成PN結(jié),有效阻止了缺陷造成的載流子竄入讀取區(qū)和感光區(qū),從而減少暗電流并提升光學(xué)和電氣隔離效果。此外,減小了隔離區(qū)的面積,從而提升了圖像傳感器的芯片面積利用率。
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