據(jù)韓國媒體The Elec報道,預(yù)計SK海力士將在HBM4內(nèi)存基礎(chǔ)裸片部分采用臺積電7nm制程。值得注意的是,臺積電7nm系列產(chǎn)能正逐步轉(zhuǎn)向6nm生產(chǎn)模式,因此韓媒所提“7nm系”可理解為該生產(chǎn)線。
HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議,首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。
SK海力士以往使用存儲半導(dǎo)體工藝制作HBM產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片,但在HBM4項(xiàng)目中,臺積電將運(yùn)用先進(jìn)邏輯工藝為其代工,以實(shí)現(xiàn)更多功能及更高效率,滿足客戶對定制化HBM的需求。
SK海力士計劃在2026年前實(shí)現(xiàn)HBM4內(nèi)存量產(chǎn)。然而,TrendForce集邦咨詢?nèi)ツ?1月曾預(yù)測HBM4基礎(chǔ)裸片將基于12nm工藝。
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