美光獲得巨額補(bǔ)貼！

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4月25日消息，美國(guó)政府近日宣布，根據(jù)雙方簽訂的不具約束力的初步備忘錄，美國(guó)政府將根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》向美光提供至多 61.4 億美元直接補(bǔ)貼。

這筆補(bǔ)貼將支持美光到 2030 年在美國(guó)投資 500 億美元（當(dāng)前約 3630 億元人民幣），在紐約州克萊建設(shè)兩座先進(jìn) DRAM 內(nèi)存“超級(jí)晶圓廠，并在總部所在地愛達(dá)荷州博伊西建設(shè)一座先進(jìn) DRAM 內(nèi)存大規(guī)模量產(chǎn)工廠。

美光博伊西晶圓廠將于 2025 年上線投運(yùn)，2026 年啟動(dòng) DRAM 生產(chǎn)；美光在克萊的首座晶圓廠 2025 年開始建設(shè)，2028 年上線。

500 億是美光更長(zhǎng)期 1250 億美元投資的一部分：美光目標(biāo)在紐約州克萊投資共計(jì) 1000 億美元，到 2041 年建成四座這樣的“超級(jí)晶圓廠”；博伊西項(xiàng)目則價(jià)值 250 億美元。

計(jì)劃中的每座晶圓廠的潔凈室面積都將達(dá)到 600000 平方英尺（約 55740 平方米）。

美光預(yù)計(jì)，前三家晶圓廠的投運(yùn)將推動(dòng)美國(guó)在全球先進(jìn)內(nèi)存制造領(lǐng)域的份額從現(xiàn)在的不到 2% 成長(zhǎng)至 2035 年的約 10%。

未來(lái)的二十多年中，美光的這五家晶圓廠將創(chuàng)造 11000 個(gè)企業(yè)內(nèi)部工作崗位、9000 個(gè)建筑工作崗位和 55000 個(gè)間接工作崗位。

根據(jù)備忘錄，美光還可獲得至高 75 億美元的貸款；美光也有資格獲得美國(guó)財(cái)政部的投資稅收抵免；此外紐約州政府也將提供價(jià)值 55 億美元的激勵(lì)措施。

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審核編輯 黃宇