三星擬應(yīng)用金屬氧化物抗蝕劑（MOR）于DRAM EUV光刻工藝

據(jù)韓國(guó)媒體TheElec報(bào)導(dǎo)，三星已著手在下一代DRAM極紫外線（EUV）光刻工藝中引入金屬氧化物抗蝕劑（MOR）技術(shù)。

據(jù)悉，MOR作為被廣泛看好的下一代光刻膠（PR）解決方案，有望替代現(xiàn)今先進(jìn)芯片光刻工藝中的化學(xué)放大膠（CAR）。然而，CAR在提升PR分辨率、增強(qiáng)抗蝕能力及降低線邊緣粗糙度上的表現(xiàn)已無法滿足當(dāng)前晶圓制造的產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

因此，三星計(jì)劃在第6代10納米DRAM（1c DRAM）中采用MOR技術(shù)，并在六至七層運(yùn)用EUV PR。預(yù)計(jì)相關(guān)產(chǎn)品將在今年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

此外，三星還計(jì)劃從多家供應(yīng)商處采購(gòu)EUV MOR光刻膠材料，包括Inpria、杜邦、東進(jìn)半導(dǎo)體以及三星SDI等公司均在進(jìn)行相關(guān)研發(fā)與測(cè)試工作。