安建半導(dǎo)體推出針對大電流高功率應(yīng)用的SGT MOSFET器件

近年來，工業(yè)及消費(fèi)市場對于系統(tǒng)的要求不斷提高，為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能，MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當(dāng)著非常重要的角色。安建半導(dǎo)體為滿足不斷發(fā)展及增長的解決方案需求，除了在傳統(tǒng)直插式封裝，如TO-220及TO-247，及性能較高的貼片式封裝，如TOLL及TO-263，中奠定良好基礎(chǔ)外，更引入了先進(jìn)熱性能封裝技術(shù)，采用頂部散熱設(shè)計(jì)「TOLT」，及雙面散熱設(shè)計(jì)「DFN5x6 DSC (Dual Side Cooling) 」為市場提供更卓越的SGT MOSFET產(chǎn)品系列。

1.封裝設(shè)計(jì)

TOLT是表面散熱的引腳型TO封裝，與同樣有高電流、高功率密度的TOLL封裝相比，TOLT將汲極直接暴露于表面，透過將散熱片置于表面，使絕大部分的熱量不需透過PCB，以更直接的方式傳至散熱片，降低傳統(tǒng)底部散熱封裝（例如TOLL及TO-263等）透過PCB傳熱時(shí)所產(chǎn)生的功耗。TOLT通過優(yōu)化散熱和熱傳導(dǎo)路徑，不但可以提升整體系統(tǒng)熱性能，更為客戶設(shè)計(jì)PCB及考慮散熱方案時(shí)提供更靈活的方案

封裝示意圖

DFN5X6 DSC是雙面散熱型封裝，與同樣POD的單面散熱DFN5X6相比，DFN 5X6 DSC在保留汲極的底部散熱面的同時(shí)，將表面的銅夾片外露，使DFN5X6 DSC可同時(shí)透過底部PCB和頂部外露銅夾片，配合散熱片同時(shí)散熱。DFN 5X6 DSC可以大幅降低整體器件熱阻，從而降低系統(tǒng)工作溫度，提高其穩(wěn)定性及延長器件的使用壽命。DFN 5X6 DSC以達(dá)到極致的功率密度，為高熱性能及功率要求的客戶提供更優(yōu)秀的方案。

封裝示意圖

2.產(chǎn)品優(yōu)勢及應(yīng)用領(lǐng)域

在電力電子領(lǐng)域，MOSFET通常是表面貼裝 (SMD)，采用DFN 5x6, TO-263 和TOLL 等封裝類型。SMD安裝是首選技術(shù)，因?yàn)樽鳛橐环N緊湊的解決方案，它具有良好的性能以及自動(dòng)放置和焊接的便利性。然而，SMD元件的散熱并不理想，因?yàn)闊醾鞑ヂ窂酵ǔ４┻^印刷電路板(Fig. 1)。

Fig. 1 傳統(tǒng)底部散熱封裝的散熱路徑

安建半導(dǎo)體推出新型TOLT和DFN 5X6 DSC 封裝中器件的熱路徑是向上的，因此散熱器位于MOSFET上方(Fig. 2)，能將功率器件、柵極驅(qū)動(dòng)器和其它元件等元件放置在電路板底部的釋放區(qū)域。這能使用更小的PCB。這種更緊湊的布局還能實(shí)現(xiàn)更短的柵極驅(qū)動(dòng)器走線，這在工作中是一個(gè)優(yōu)勢。

Fig. 2 頂部散熱封裝位于封裝頂部的散熱器，從而改善布局和散熱路徑

由于熱量不再需要通過PCB，因此電路板本身保持較低溫度，MOSFET附近的元件在較低溫度下工作，因此更可靠。頂部冷卻封裝提供了更好的熱響應(yīng)，每瓦功耗的溫升較低，能在預(yù)定的最大結(jié)溫升高下以更大的功率運(yùn)行。最終，采用頂冷封裝的相同MOSFET芯片比采用標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝的相同芯片具有更高的電流和性能能力。

封裝型式	產(chǎn)品優(yōu)勢	應(yīng)用領(lǐng)域
TOLT	?高功率密度 ?靈活而出色的散熱方案 ?低表面熱阻 ?高可靠性	?電池管理系統(tǒng) ?馬達(dá)控制 (E-Bike, 電動(dòng)兩輪車, 服務(wù)機(jī)器人)
DFN 5X6 DSC	?高功率密度 ?兼容DFN 5X6 POD ?低封裝電阻及寄生電感 ?低整體熱阻 ?高可靠性	?電池化成 ?高功率電源 (LED, 服務(wù)器) ?馬達(dá)控制 (E-Bike, 電動(dòng)工具, 服務(wù)機(jī)器人, AGV)

3.推薦型號及POD

審核編輯：劉清