近日,英飛凌連續(xù)發(fā)布兩則碳化硅創(chuàng)新產(chǎn)品和新一代技術的重磅消息,引起業(yè)界的關注和熱議。憑借著在功率半導體器件領域技術和創(chuàng)新的雙輪驅動,英飛凌始終站在技術前沿。本期“零碳故事”特邀英飛凌工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高級技術總監(jiān)陳立烽先生淺談英飛凌的技術實力和創(chuàng)新能力,深挖創(chuàng)新背后的故事。
1
新一代CoolSiC MOSFET G2技術,到底“新”在哪里?
“英飛凌不斷突破可能性的邊界,在充滿活力的碳化硅創(chuàng)新浪潮中保持著領軍者的位置?!?
英飛凌碳化硅單管有650V、1200V、1700V、2000V四個電壓等級。就主流電壓等級而言,英飛凌可以說是業(yè)內碳化硅產(chǎn)品最齊全的半導體企業(yè)。
最新發(fā)布的CoolSiC MOSFET 2000V碳化硅分立器件,基于第一代的碳化硅技術,在電壓等級上實現(xiàn)向上拓展,成為市面上首款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件。
而新一代CoolSiC MOSFET Gen2的技術亮點紛呈:它具有業(yè)界最低的Rdson導通電阻,單個單管封裝可低至7毫歐。同時,該技術在保證低導通電阻的同時,承諾2微秒的短路能力,這在業(yè)界遙遙領先。此外,新一代CoolSiC MOSFET Gen2的最大工作結溫直接提升到200攝氏度,相較于第一代產(chǎn)品有了顯著的提升。
2
英飛凌如何保持在碳化硅技術的創(chuàng)新優(yōu)勢?
“創(chuàng)新不是速度與激情,而是長期耕耘的“細水長流”。
英飛凌這么多年在碳化硅的技術積累為今天在產(chǎn)品上的發(fā)力提供了堅實的基礎,從晶圓制成到芯片設計,封裝都有著深厚的技術實力:
我們在2018年獲得的冷切割技術,大幅減少SiC生產(chǎn)過程中的原材料損耗,確保質量的同時,從容面對不斷增長的碳化硅市場需求;
我們的優(yōu)勢還在于早期就決定采用溝槽MOSFET技術。憑借25年的經(jīng)驗積累,英飛凌掌握了溝槽柵生產(chǎn)的關鍵技術和挑戰(zhàn)。越來越多公司將溝槽技術概念納入其SiC產(chǎn)品路線圖,也證明了我們的技術戰(zhàn)略是正確的。
英飛凌在封裝技術方面持續(xù)創(chuàng)新,大家熟悉的Easy 1B/2B,Ecoco都是英飛凌的原創(chuàng)設計。最近屢獲殊榮的.XT互連技術,也英飛凌的一項創(chuàng)新技術,與傳統(tǒng)封裝相比,能進一步提升基于碳化硅設計的優(yōu)化潛力。
3
碳化硅在不久的將來是否會取代硅基功率半導體?
“Si和SiC將會是一個共存的狀態(tài),會各自在最能發(fā)揮他們產(chǎn)品性能的應用中繼續(xù)扮演關鍵的角色?!?/p>
英飛凌在功率半導體保持連續(xù)20年市占率第一的成績,以英飛凌為代表的IGBT技術也在不斷進步,從整體發(fā)展趨勢來看,呈現(xiàn)出大電流、高電壓、低損耗、高頻率、功能集成化、高可靠性的特點。我們去年推出的IGBT7單管系列正是符合這一趨勢。其中,1200V/140A的規(guī)格為市場上第一款大電流的1200V IGBT單管。
此外,英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),從Si、SiC到GaN,英飛凌掌握所有的關鍵材料和技術,擁有最廣泛的產(chǎn)品組合,客戶可以根據(jù)系統(tǒng)優(yōu)化的不同需求,進行靈活的方案配置。
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英飛凌如何把創(chuàng)新力轉化成產(chǎn)品力?
“創(chuàng)新力:源頭在“創(chuàng)”,核心在“新”,成果在“力””。
我們從一開始在工業(yè)應用、基建以及汽車領域做好全面的市場布局,專注于Mobility, Energy Efficiency以及IoT的技術創(chuàng)新以及產(chǎn)品開發(fā)。因此,我們在市場上提供了更廣泛、細致的產(chǎn)品組合,使得客戶能夠根據(jù)自身需求,選擇最適合、成本效益最高的產(chǎn)品。
同時,英飛凌始終與富有創(chuàng)新精神的客戶并肩前行。通過交流所積累的知識和經(jīng)驗,成為了我們始終站在技術前沿的寶貴財富,為日后市場的騰飛奠定堅實的基礎。
此外,針對應用,我們?yōu)榭蛻魟?chuàng)新設計定制功率模塊,產(chǎn)品定制化已經(jīng)成為了我們非常重要的業(yè)務模塊。通過縮短設計周期,加速產(chǎn)品上市時間,為客戶搶得市場先機。而在定制化成功的背后,完善的定制化服務管理體系以及專業(yè)的研發(fā)團隊提供了堅實的保障。
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