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PI擬收購(gòu)Odyssey以推動(dòng)PowiGaN技術(shù)研發(fā)

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-05-08 16:58 ? 次閱讀

Power Integrations (PI) 8日宣布將收購(gòu)Odyssey Semiconductor Technologies (奧德賽半導(dǎo)體技術(shù)),進(jìn)軍垂直氮化鎵晶體管技術(shù)領(lǐng)域。該交易預(yù)計(jì)2024年7月完成,奧德賽的核心團(tuán)隊(duì)將歸入PI技術(shù)部。

PI方面強(qiáng)調(diào),此舉將提升公司獨(dú)特的PowiGaN技術(shù)的研發(fā)實(shí)力,這是其廣泛用于InnoSwitch IC、HiperPFS-5功率因數(shù)校正IC等一系列產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)。

公司計(jì)劃借助氮化鎵與碳化硅材料相比的優(yōu)越性,降低成本并提升性能,推動(dòng)高電流、高電壓氮化鎵技術(shù)的商業(yè)化,滿足當(dāng)前碳化硅無(wú)法覆蓋的更高功率需求。

據(jù)了解,Odyssey成立于2019年,專(zhuān)注于高壓功率開(kāi)關(guān)元件和系統(tǒng)的開(kāi)發(fā),擁有一家占地1萬(wàn)平方英尺的半導(dǎo)體晶圓制造廠,配備先進(jìn)的半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)設(shè)備。Odyssey曾于今年3月以952萬(wàn)美元出售資產(chǎn)并解散。

Odyssey主要從事650V和1200V垂直氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研發(fā)和生產(chǎn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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