什么是MOS管?
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
一
MOT
MOS管型號(hào)表示方法
場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中,應(yīng)用最為廣泛的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱MOS管(即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET);此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管,以及最近剛問世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。
按溝道半導(dǎo)體材料的不同,結(jié)型和絕緣柵型又分n溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分,場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。
二
MOT
場(chǎng)效應(yīng)管的型號(hào)命名方法
現(xiàn)行有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同,第三位字母J代表結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,O代表絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型層是N溝道;C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管,3DO6C 是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。
第二種命名方法是CS××#,CS代表場(chǎng)效應(yīng)管,××以數(shù)字代表型號(hào)的序號(hào),#用字母代表同一型號(hào)中的不同規(guī)格。
三
MOT
晶體管外形封裝
(TO)屬于早期的封裝規(guī)格,例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封裝設(shè)計(jì)。
TO-3P/247:是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式,產(chǎn)品具有耐壓高、抗擊穿能力強(qiáng)等特點(diǎn)。
TO-220/220F:TO-220F是全塑封裝,裝到散熱器上時(shí)不必加絕緣墊;TO-220帶金屬片與中間腳相連,裝散熱器時(shí)要加絕緣墊。這兩種封裝樣式的MOS管外觀差不多,可以互換使用。
TO-251:該封裝產(chǎn)品主要是為了降低成本和縮小產(chǎn)品體積,主要應(yīng)用于中壓大電流60A以下、高壓7N以下環(huán)境中。
近年來,由于插入式封裝工藝焊接成本高、散熱性能也不如貼片式產(chǎn)品,使得表面貼裝市場(chǎng)需求量不斷增大,也使得TO封裝發(fā)展到表面貼裝式封裝。
TO-252(又稱之為D-PAK)和TO-263(D2PAK)就是表面貼裝封裝。
TO-263是TO-220的一個(gè)變種,主要是為了提高生產(chǎn)效率和散熱而設(shè)計(jì),支持極高的電流和電壓,在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見。
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