Microchip推出基于Arm Cortex-M0+的32位耐輻射單片機SAMD21RT

太空探索正迎來復蘇期，一系列令人興奮的新任務相繼展開，如備受期待的Artemis II（阿爾忒彌斯二號計劃）、JAXA SLIM 和 Chandaaryan-3成功登月以及New Space在近地軌道 （LEO）進行新部署。設計人員需要符合嚴格的輻射和可靠性標準的電子元件，以滿足在惡劣太空環(huán)境中工作的要求。Microchip Technology（微芯科技公司）宣布推出新款耐輻射32位單片機SAMD21RT。該產(chǎn)品基于耐輻射（RT）Arm Cortex-M0+技術，采用64引腳陶瓷和塑料封裝，具備128 KB閃存和16 KB SRAM。

SAMD21RT專為對尺寸和重量要求極高的空間受限應用而設計，基底面積僅為10 mm × 10 mm。SAMD21RT運行頻率高達48 MHz，可為惡劣環(huán)境提供高性能處理能力。該器件集成了模擬功能，包括多達20路通道的模數(shù)轉(zhuǎn)換器 （ADC）、數(shù)模轉(zhuǎn)換器 （DAC） 和模擬比較器。

SAMD21RT器件基于Microchip廣泛應用于工業(yè)和汽車市場的現(xiàn)有SAMD21 MCU 系列。該器件還采用商用現(xiàn)貨（COTS）技術，在過渡到耐輻射器件時，由于設計保持引腳兼容，可大大簡化設計過程。Microchip 為空間應用提供了全面的系統(tǒng)解決方案，可圍繞 SAMD21RT 單片機設計多種器件，包括 FPGA、電源和分立器件、存儲器產(chǎn)品、通信接口以及各種規(guī)格的振蕩器。

為了承受包括輻射和極端溫度在內(nèi)的惡劣環(huán)境，SAMD21RT可在?40°C至125°C的溫度范圍內(nèi)工作，并具有高水平的輻射耐受性，總電離劑量（TID）能力高達50 krad，單次事件閂鎖 （SEL）抗擾度高達 78 MeV.cm2/mg。

Microchip負責航空航天與防御業(yè)務部的副總裁Bob Vampola表示：“與我們合作的優(yōu)勢在于，我們擁有相應的歷史、知識和能力，可在公司內(nèi)部完成耐輻射器件的設計和測試。我們將繼續(xù)引入以太網(wǎng)、人工智能和機器學習等在商業(yè)和工業(yè)市場發(fā)展起來的新技術，并利用輻射性能對其進行改進，以滿足太空任務的需求。我們還將繼續(xù)提供更高的計算性能，并將更新的技術集成到更小的封裝中，減輕重量和尺寸?！?/p>

SAMD21RT 功耗低，具有空閑和待機休眠模式以及sleepwalking外設等功能。其他外設包括一個12通道直接存儲器訪問控制器 （DMAC）、一個 12 通道事件系統(tǒng)、各種控制定時器/計數(shù)器 （TCC）、一個32位實時計數(shù)器 （RTC）、一個看門狗定時器 （WDT） 和一個 USB 2.0 接口。通信選項包括串行通信 （SERCOM）、I2C、SPI 和 LIN。

Microchip擁有數(shù)以萬計的在軌部件，一直是太空探索歷史的重要組成部分，對今天和未來的太空任務至關重要。作為Artemis計劃的一部分，Microchip 的產(chǎn)品正在飛往月球的途中，并為太空發(fā)射系統(tǒng)、獵戶座飛船、月球門戶空間站、月球著陸器和下一代宇航服的成功研制貢獻力量。

開發(fā)工具

SAMD21RT 32 位 MCU 由SAM D21 Curiosity Nano 評估工具包、MPLAB X 集成開發(fā)環(huán)境（IDE）和MPLAB PICkit 5 在線調(diào)試器/編程器提供支持。