AMD CEO蘇姿豐榮膺imec創(chuàng)新獎(jiǎng)，30x25計(jì)劃將計(jì)算節(jié)點(diǎn)能效提高30倍

據(jù)悉，5月24日于比利時(shí)微電子研究中心所舉行的ITF世界2024大會(huì)上，AMD首席執(zhí)行官蘇姿豐因其杰出的創(chuàng)新才能及行業(yè)頂尖影響力榮獲IMEC創(chuàng)新獎(jiǎng)。

頒獎(jiǎng)典禮后，蘇姿豐隨即展示了其企業(yè)主張——“30x25”目標(biāo)，即至2025年將計(jì)算節(jié)點(diǎn)能效提高至原先的30倍。同時(shí)，她預(yù)測在2026-2027年間，有望進(jìn)一步找到使能效提升至百倍以上的解決方案。

近年來，隨著ChatGPT等生成式AI LLM的飛速發(fā)展，人工智能功耗問題日益凸顯。然而，早在2021年，AMD便已洞察到此問題，并為此設(shè)定了“30x25”目標(biāo)，旨在提升數(shù)據(jù)中心計(jì)算節(jié)點(diǎn)能效，尤其針對AI和HPC能耗問題。

據(jù)報(bào)道，AMD自2014年起便設(shè)立了首個(gè)宏大的能源目標(biāo)——“25x20”，即至2020年將消費(fèi)級(jí)處理器能效提高至原有的25倍。如今，該目標(biāo)已超預(yù)期達(dá)成，實(shí)際提升幅度達(dá)31.7倍。

隨著訓(xùn)練模型所需算力的不斷攀升，問題愈發(fā)嚴(yán)峻。蘇姿豐指出，最初的圖像和語音識(shí)別AI模型規(guī)模每兩年翻一番，與過去十年計(jì)算能力的提升速度相當(dāng)。然而，當(dāng)前生成式AI模型規(guī)模正以每年20倍的驚人速度增長，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了計(jì)算和內(nèi)存進(jìn)步的步伐。

蘇姿豐表示，目前最大的模型需在數(shù)萬個(gè)GPU上進(jìn)行訓(xùn)練，耗電量高達(dá)數(shù)萬兆瓦時(shí)；而未來，隨著模型規(guī)模的急劇擴(kuò)張，可能很快就需要數(shù)十萬個(gè)GPU進(jìn)行訓(xùn)練，甚至可能僅訓(xùn)練一個(gè)模型就需消耗數(shù)千兆瓦的電力。

為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，AMD采取了全方位策略，包括從硅架構(gòu)、先進(jìn)封裝策略，到人工智能專用架構(gòu)、系統(tǒng)和數(shù)據(jù)中心級(jí)調(diào)整，乃至軟硬件協(xié)同設(shè)計(jì)計(jì)劃等多種手段。

蘇姿豐透露，AMD公司硅技術(shù)路線圖的下一步將聚焦于3納米全柵極（GAA）晶體管，旨在提升能效和性能。此外，AMD還將持續(xù)關(guān)注先進(jìn)封裝和互連技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)更高效、更具性價(jià)比的模塊化設(shè)計(jì)。

先進(jìn)封裝在擴(kuò)大設(shè)計(jì)規(guī)模方面具有至關(guān)重要的作用，能夠在單個(gè)芯片封裝的限制范圍內(nèi)產(chǎn)生更大的功率。AMD采用了2.5D和3D混合封裝技術(shù)，以最大化每平方毫米數(shù)據(jù)中心硅片的每瓦計(jì)算能力。