Part 01
前言
三極管在電路中比較多的一種用法就是用作開關(guān),當(dāng)三極管用作開關(guān)時,它在飽和區(qū)和截止區(qū)之間切換,先簡單介紹一下三極管用作開關(guān)的基本工作原理吧:
開關(guān)導(dǎo)通:
為了讓三極管進(jìn)入飽和區(qū),基極需要足夠大的電流I_B,使得集電極電流I_C達(dá)到其最大值。在飽和區(qū),V_CE很?。ǖ湫椭翟?.1V到0.3V之間),表示三極管完全導(dǎo)通。三極管的狀態(tài)類似于一個閉合的開關(guān),允許電流從集電極流向發(fā)射極。為保證三極管完全飽和,通常設(shè)計時會使基極電流 I_B 稍大于理論值,使得 I_C > β * I_B。
開關(guān)關(guān)斷:
為了讓三極管進(jìn)入截止區(qū),基極電流 I_B 需要為零或非常小。在截止區(qū),V_BE < 0.7V(對于硅三極管),集電極電流 I_C 近似為零。三極管的狀態(tài)類似于一個斷開的開關(guān),阻止電流從集電極流向發(fā)射極。 ? 實際電路中我們會發(fā)現(xiàn),當(dāng)三極管用作開關(guān)去驅(qū)動一些負(fù)載時,比如繼電器,此時三極管的基極和發(fā)射極常常會并聯(lián)一個電容,為什么需要并聯(lián)這個電容呢?
Part 02
為什么需要并聯(lián)電容呢?
回答這個問題,就需要介紹一下三極管的高頻等效模型,三極管的高頻等效模型主要包括基極-集電極寄生電容,基極-發(fā)射極寄生電容和集電極-發(fā)射極寄生電容,這其實和MOSFET比較類似,如果你研究過MOSFET的等效模型,那就比較好理解三極管了。
電容的特性就是通高頻,阻低頻,所以當(dāng)VCC端有高頻干擾時,就會通過如下路徑:VCC->Rc->Cbc->Cbe->Re->GND。這樣高頻干擾信號就會在三極管基極-GND直接形成一個分壓,當(dāng)這個電壓大于三極管的開啟電壓0.7V(對于硅三極管)時,此時,三極管就會誤導(dǎo)通,此時如果我們的產(chǎn)品去做EMC試驗,如果我們驅(qū)動的是繼電器,此時繼電器就會誤吸合,這肯定是不能接受的。
Part 03
電容容值如何計算?
舉個例子吧,我們基于如下電路分析,當(dāng)三極管OFF時,假定R1電阻左邊開路,三極管集電極出現(xiàn)的尖峰電壓最大為40V,Cbc=100pF,接下來計算一下需要并聯(lián)的C的容值。
Cbc*40V/(Cbc+C)be_on表示三極管的開啟電壓
2. C>Cbc*40V/Vbe_on-Cbc=100*40/0.7V-100pF≈5614pF
因此為了避免三極管誤導(dǎo)通,我們選擇一個相近的容值6.2nF并聯(lián)到三極管的基極-發(fā)射極即可。
總結(jié)一下核心的思路就是BE電容和BC寄生電容分壓要小于BE導(dǎo)通電壓,避免誤導(dǎo)通。
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