今天我們來講一款FST SIC DIODE模塊MPRA1C65-S61,這款SiC Module可以適用更高的開關(guān)頻率,可忽略的反向恢復(fù)與開關(guān)損耗,大大的提高整機(jī)效率,可適當(dāng)?shù)臏p少散熱器件體積。
模塊采用帶有散熱片的S6小型封裝,具有體積小、結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、用戶使用簡(jiǎn)單靈活的特點(diǎn),是焊接切割設(shè)備,開關(guān)電源 充電設(shè)備等領(lǐng)域的理想功率模塊。
快速參考數(shù)據(jù):
650V/100A 碳化硅DIODE模塊
反向重復(fù)峰值電壓:600V
連續(xù)正向電流:100A
熱阻:0.68℃/W
安裝扭矩-端子:3±15%Nm
安裝扭矩-散熱器:5±15%Nm
模塊大約重量:170g
特征:
絕緣耐壓
端子與外殼之間外加交流電 1 分鐘
封裝形式:S6,
多種保護(hù)功能,包括欠壓保護(hù)、過流保護(hù)、過溫保護(hù)
故障狀態(tài)報(bào)告輸出線性溫度感測(cè)輸出
S6封裝形式(Package Outline):
應(yīng)用:
焊接切割設(shè)備
開關(guān)電源
充電設(shè)備
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