隨著ChatGPT引領(lǐng)AI市場發(fā)展,HBM存儲市場迅速崛起。據(jù)TrendForce預(yù)測,2022年,全球HBM容量約1.8億GB,2023年增幅約60%,達2.9億GB;2024年將繼續(xù)攀升30%。若按每GB售價20美元計算,2022年HBM市場規(guī)模約為36.3億美元,預(yù)估2026年將達127.4億美元,年復(fù)合增長率(CAGR)約37%。
然而,全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內(nèi)存獨家供應(yīng)商,且已于今年3月啟動HBM3E量產(chǎn)。美光和三星等競品正積極研發(fā)自家HBM產(chǎn)品,試圖打破SK海力士的市場主導(dǎo)地位。而中國廠商在這一領(lǐng)域基本處于空白狀態(tài)。
此外,受美國BIS 2022年針對高算力芯片的規(guī)則3A090影響,英偉達等廠商降低芯片互聯(lián)速率以維持對華供應(yīng)。美國商務(wù)部還指控中國企業(yè)通過海外子公司或其他途徑規(guī)避許可證規(guī)定獲取先進計算芯片。2023年新規(guī)調(diào)整了3A090芯片及相關(guān)物項的技術(shù)指標,擴大了許可證要求及直接產(chǎn)品原則的適用范圍,并加強了先進計算最終用途管控。因此,包括先進GPU、HBM產(chǎn)品以及制造AI芯片和HBM的先進封裝設(shè)備在內(nèi),對華供給基本中斷。
芯片與存儲制造是制約中國AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸,其中2.5D或3D先進封裝、芯片堆疊等核心工藝設(shè)備至關(guān)重要。目前,海力士、三星和美光均采用TCB工藝,其中海力士采用TCB MR-MUF,三星和美光則主要使用TCB NCF技術(shù)。但隨著HBM技術(shù)的不斷升級,如HBM4的出現(xiàn),堆疊層數(shù)由8層提升至16層,IO間距縮減至10微米左右,TCB工藝逐漸向無flux方向發(fā)展。
近年來,普萊信智能與客戶密切合作,成功研發(fā)出TCB工藝和整機,并構(gòu)建了納米級運動控制平臺、超高速溫度升降系統(tǒng)、自動調(diào)平系統(tǒng)及甲酸還原系統(tǒng)。在此基礎(chǔ)上,普萊信智能打造了Loong系列TC Bonder技術(shù)平臺,并針對AI芯片、HBM等產(chǎn)品需求,推出Loong WS及Loong F系列產(chǎn)品。
其中,Loong WS可兼容C2W及C2S封裝形式,最高精度達±1um,與國際領(lǐng)先水平相當,支持TCB NCF、TCB MR-MUF等多種工藝。
Loong F作為專為HBM3E和HBM技術(shù)設(shè)計的無flux工藝設(shè)備,在Loong WS平臺基礎(chǔ)上新增甲酸還原系統(tǒng),消除堆疊工藝中的flux不良影響,實現(xiàn)coper-coper鍵合,支持最小IO pitch在15微米。展望未來,隨著HBM4堆疊層數(shù)增加和IO數(shù)量激增,Loong F有望成為最具性價比的解決方案。
我們堅信,隨著中國半導(dǎo)體技術(shù)的進步和普萊信智能Loong系列TCB設(shè)備的推出與量產(chǎn),國產(chǎn)廠商在AI芯片和HBM產(chǎn)品研發(fā)與制造方面將迎來突破性進展。
-
NVIDIA
+關(guān)注
關(guān)注
14文章
4793瀏覽量
102425 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
918瀏覽量
38254 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
332瀏覽量
14612
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論