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超結(jié)MOS在全橋電路上的應(yīng)用

瑞森半導(dǎo)體 ? 2024-05-29 14:46 ? 次閱讀

一、前言

全橋電路定義

全橋電路是一種常見的電子電路,由四個(gè)開關(guān)管和一個(gè)負(fù)載組成,可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。

全橋電路的應(yīng)用領(lǐng)域

全橋電路廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域,如開關(guān)電源、變頻器、逆變器、電動(dòng)汽車、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域 。在電路中,全橋電路可以使直流電轉(zhuǎn)換成交流電;在電機(jī)控制中,全橋電路可用于變頻調(diào)速和正弦波控制。

367101f505424ae68796a3ac5856bdfb~tplv-tt-shrink:640:0.image?lk3s=06827d14&traceid=20240529142003414E9DA57D1EB1B04276&x-expires=2147483647&x-signature=9iU2q4RaoU2q3Ho7RL6ErnSpwDg%3D多層外延超結(jié)MOS在全橋電路上的應(yīng)用

二、全橋電路的原理

全橋電路通過控制開關(guān)管的通斷來改變電源與負(fù)載之間的電壓極性,實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的驅(qū)動(dòng)。在上半周期內(nèi),開關(guān)管Q1、Q4閉合,Q2、Q3斷開,電源的正極通過Q1進(jìn)入負(fù)載,負(fù)載的負(fù)極通過Q4回到電源的負(fù)極。在下半周期內(nèi),開關(guān)管Q2、Q3閉合,Q1、Q4斷開,電源的正極通過Q3進(jìn)入負(fù)載,負(fù)載的負(fù)極通過Q2回到電源的負(fù)極。這樣就能實(shí)現(xiàn)直流電源向交流負(fù)載的轉(zhuǎn)換。

04491a4015e34a5e8ce5f284fd239f7d~tplv-tt-shrink:640:0.image?lk3s=06827d14&traceid=20240529142003414E9DA57D1EB1B04276&x-expires=2147483647&x-signature=CD6JfoIa1L2y7TRjEvl1foWOQww%3D全橋線路的工作原理

三、全橋電路對(duì)于MOS管的需求

(1)主要損耗構(gòu)成:①M(fèi)OS管的導(dǎo)通損耗直接由導(dǎo)通Rdson決定,要求MOS管的Rdson更低。②MOS管的開關(guān)損耗,由MOS管的米勒平臺(tái)等參數(shù)決定,要求MOS管開關(guān)特性好,開關(guān)速度快,交越損耗??;

(2)后端是感性負(fù)載,需要二極管反向續(xù)流,要求功率MOS二極管反向恢復(fù)特性較好,具有較短反向恢復(fù)時(shí)間trr。

四、全橋電路MOS管選型

根據(jù)不同的應(yīng)用需求,全橋電路還可分為全橋逆變電路、全橋整流電路等,瑞森半導(dǎo)體多層外延超結(jié)MOS系列,可應(yīng)用于全橋電路不同的應(yīng)用中。

瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS全系列采用多層外延工藝,具有低導(dǎo)通損耗、大通流能力、低柵極電荷、低開啟電壓、出色的非鉗位感性開關(guān)能力等工藝特色。再加上我司對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行百分之百的雪崩能量擊穿測(cè)試等自有標(biāo)準(zhǔn);產(chǎn)品對(duì)標(biāo)英飛凌C3、 P6、P7系列 ; 封裝產(chǎn)品豐富,為設(shè)計(jì)者們提供了極大的靈活性。

19743bb85df04a2e88fc74b1ef726f97~tplv-tt-shrink:640:0.image?lk3s=06827d14&traceid=20240529142003414E9DA57D1EB1B04276&x-expires=2147483647&x-signature=BnMl%2Bq8XoIVVOFXcdR1GzJ2jnaQ%3D全橋電路MOS管選型推薦超結(jié)MOS系列

全橋電路作為一種常見的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),具有良好的電流/電壓控制能力。針對(duì)全橋電路不同的應(yīng)用場(chǎng)景,瑞森半導(dǎo)體提供整體功率半導(dǎo)體解決方案。

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