柔性塑料電子電路再獲重大突破性技術(shù)進(jìn)展

電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/David】：根據(jù)賓夕法尼亞大學(xué)的研究者研究表明，半導(dǎo)體材料硒化鎘能夠覆蓋在柔性塑料納米粒子的表面上，這將預(yù)示著一項(xiàng)重大的突破性電子技術(shù)進(jìn)展——在柔性襯底上能注入高性能電子。

該研發(fā)團(tuán)隊(duì)是由賓夕法尼亞材料科學(xué)工程系一名博士生David Kim領(lǐng)銜研發(fā)，他們?cè)谝粋€(gè)墨汁一樣的液體中，旋轉(zhuǎn)地將納米級(jí)的硒化鎘涂布分散在一個(gè)柔性塑料薄膜上。該項(xiàng)突破性進(jìn)展目前已經(jīng)被刊登在《自然通訊》雜志中。

除了具有高速這一特點(diǎn)外，硒化鎘還具有優(yōu)于非晶硅的溫度特性。非晶硅通常要在幾百度高溫下進(jìn)行工作，硒化鎘納米粒子只需在室溫或常溫下便可正常工作，這將為未來(lái)大規(guī)模使用柔性塑料電子電路打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

柔性電子樣品的最終制造是在賓夕法尼亞大學(xué)的切麗·卡根教授實(shí)驗(yàn)室完成

圖片材料提供: David Kim/Yuming Lai, Penn

使用該工藝，研究者建立了三種應(yīng)用電路模型用來(lái)測(cè)試該納米晶體的性能，該模型分別是：逆變器、放大器、環(huán)形振蕩器。

“該項(xiàng)研究還打破了應(yīng)用各種納米晶體的限制顧慮，正如我們展示的，今后在材料方面不會(huì)有任何限制，”David Kim表示。