電力電子元器件已經(jīng)成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中重要的組成部件,同時,元器件的熱性能將大大影響整體設(shè)備的可靠性。庭田科技提供的POWERTESTER測試平臺,在不破壞待測器件的前提下,僅需三步,即可高效安全的測試IGBT、硅和碳化硅MOSFET、二極管等半導(dǎo)體器件的使用壽命及熱可靠性。
第一步:將待測器件與POWERTESTER連接,輸入相關(guān)參數(shù),校準(zhǔn)K系數(shù)(溫度敏感因子)
第二步:通過測試平臺內(nèi)置的觸摸屏電腦,設(shè)置待測器件的循環(huán)策略,啟動設(shè)備,進行全自動熱瞬態(tài)及功率循環(huán)測試
第三步:數(shù)據(jù)分析(支持?jǐn)?shù)據(jù)導(dǎo)出,進行結(jié)構(gòu)函數(shù)分析、生成熱模型等)
審核編輯 黃宇
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