甬矽電子,一家致力于技術(shù)革新的企業(yè),近日在高密度SiP技術(shù)領(lǐng)域取得重大突破,為5G射頻模組的開發(fā)和量產(chǎn)注入了新動力。
公司成功研發(fā)出先進的雙面SiP(DSM-BGA SiP)技術(shù),將傳統(tǒng)XY平面的芯片與元器件集成技術(shù)提升至Z方向,實現(xiàn)了SiP模組芯片、元器件、射頻器件的雙面高密度集成整合封裝。這一創(chuàng)新技術(shù)不僅有效減小了模塊體積,更賦予了模組更完善的功能性。
甬矽電子始終堅持研發(fā)及技術(shù)創(chuàng)新,不斷在工藝上尋求突破。此次雙面SiP技術(shù)的成功研發(fā),正是公司技術(shù)實力的體現(xiàn)。隨著5G技術(shù)的快速發(fā)展,甬矽電子的這項創(chuàng)新技術(shù)將助力5G射頻模組實現(xiàn)更高效、更緊湊的設(shè)計,開啟數(shù)智新時代的新篇章。
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