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為什么串阻阻值通常是22到33歐姆,看完后不信你不懂!

edadoc ? 來源:edadoc ? 作者:edadoc ? 2024-06-04 10:59 ? 次閱讀

高速先生成員--黃剛

又是一年的高考季,每當(dāng)這個時候,Chris總會不自覺的發(fā)出感慨,高考那會真的是理論知識的巔峰,拿起筆來就能寫出各種電路的公式,三下兩除二就能推導(dǎo)出各種物理題目的結(jié)果。

不像現(xiàn)在,工作多年后大多數(shù)情況下只會用仿真的方式來得到,對于各種理論計算場景都敬而遠之了!趁著高考的刺激,Chris打算再掙扎下,給大家分享一篇有點理論型的文章哈!

在設(shè)計上使用串阻的場景大家都見得多了,基本上很多1GHz以下的單端信號都有可能用到。從信號類型來看,像低速點的I2C信號、local bus信號到高一點的flash信號、以太網(wǎng)RGMII信號,甚至再高一點的DDR1到DDR2的數(shù)據(jù)信號,都能看到串阻的身影。

wKgZomZegviAVeMzAABsU2RS2To308.jpg

以RGMII為例,單根信號的速率大概是250Mbps,是非常典型的需要加串阻的應(yīng)用場景。那各位硬件工程師或者設(shè)計工程師,你們印象中的串阻的阻值一般是多少呢,是不是就是22歐姆或者33歐姆呢?不知道大家有沒有想過為什么基本就是這兩個值,或者基本就是在22到33歐姆這個范圍呢?這里面到底隱藏著什么理論,Chris將給大家仔細說說!

首先大家需要知道的是,像上面說到的這一類型的信號,主要的電平標準都八九不離十,就是下面的這些。

wKgZomZegvmAHtAhAAJXZADH4Ak589.jpg

不同的電平標準從表現(xiàn)上看就是電平不同,還有就是上升時間不一樣。我們拿今天要研究的LVCMOS電平為例來說,我們找到一個具有該電平標準的ibis模型,看看LVCMOS電平的一些

電性能參數(shù)。

wKgaomZegvqASG9zAAIvpVI3xYw545.jpg

上面除了說明該電平的電壓標準,閾值范圍外,更重要的其實記載著該電平的輸入輸出的行為特性,也就是俗稱的V-T曲線。例如我們打開與本文強相關(guān)的rising waveform這一項,里面

可以看到它關(guān)于切換電平的特性。

wKgZomZegvqAHUp8AAKX4YEZ1iE651.jpg

看到這,我相信大家還是沒弄懂,看這玩意到底跟要解釋在設(shè)計上加多少歐姆的串阻有什么關(guān)系呢?

Chris不妨先問問大家,在設(shè)計上加串阻的作用是什么?這個大家估計都比較了解了,就是為了改善源端信號的反射,詳細的原理大家可以回顧下這篇文章(鏈接《探討源端串聯(lián)端接》)。

在里面提取到一個很重要的信息點,那就是我們在芯片發(fā)送端加的串阻的阻值其實是為了和芯片的內(nèi)阻加起來等于50歐姆來成為最佳的端接方案。那么問題又來了,我們怎么知道芯片的內(nèi)

阻是多少呢?這也是本文的核心問題,我們只有知道了芯片的內(nèi)阻是多少,才能夠去選擇合適的串阻進行合理的端接,產(chǎn)生比較好的效果。

Chris今天就教大家如何從ibis模型中計算出芯片內(nèi)阻!上面說了,ibis模型展示給大家是都是V-T曲線、I-T曲線,I-V曲線這些行為級的參數(shù),我們只有從這些曲線去推導(dǎo)出該電平輸出buffer

的內(nèi)阻。具體怎么做呢?我們還是看回剛剛的rising waveform曲線,這張圖里面有兩個關(guān)鍵的點,一個是紅的圈圈的芯片該buffer的測試驗證環(huán)境,另外就是綠色圈圈的測試出來的值(我們看typical的值)。

wKgaomZegvuAMcdPAAHC5aLsnDE128.jpg

這張圖描述的意思是這樣的:測試環(huán)境是把該輸出buffer接50歐姆電阻到地進行輸出測試,然后去觀測50歐姆電阻位置的值是2.18V左右,用仿真軟件去搭建就是這個樣子了。

wKgZomZegvuADpYJAAEbQE_h95Q487.jpg

VIN的值測試出來就是2.18V,那么該buffer的內(nèi)阻要怎么計算呢?其實原理就是把內(nèi)阻R和50歐姆電阻進行分壓,得到VIN是2.18V的過程。那么Chris大概在紙上算了下,得到的內(nèi)阻就是這樣的了。

wKgaomZegvyAXjL6AAC8z4cqdJI605.jpg

嗯,其實也不是很難是吧,這個時候就推導(dǎo)出了該buffer的內(nèi)阻大概是26歐姆的樣子。其實你們多找?guī)讉€不同電平的buffer去算算就會發(fā)現(xiàn),內(nèi)阻的范圍大概也在17到30歐姆左右。因此大家

也就知道了為什么我們無腦用22歐姆到33歐姆也基本能達到比較好的端接效果了。

那在我們這個case中,使用這個電平buffer時,算出來的內(nèi)阻是26歐姆左右,那我們就用一個22歐姆的串阻進行端接,加起來差不多就是50歐姆了,然后在200M的速率下看看加串阻和不加串阻的仿真結(jié)果對比!

wKgaomZegv2ALA2sAACoqbHepJA637.jpg

經(jīng)過我們理論算出來的內(nèi)阻,然后再去精確的配上合適的串阻后,大家從結(jié)果是就能看到接收端的波形是非常的理想,裕量大到?jīng)]邊,同時也能看到不加串阻時的過沖導(dǎo)致信號質(zhì)量的惡化哈!

wKgZomZegv2ADohKAACww0RyTss936.jpg

方法都是人想出來滴,通過這個方法來精確的進行串阻的端接,就能使信號的裕量更大,不然就只能還是繼續(xù)拍腦袋來放串阻值了。希望大家都多拿起筆來寫寫公式,更重要的是要像你們當(dāng)年

高考那會,繼續(xù)保持著一顆鉆研的心,事實證明在工作中也還是灰常的有用哦!

問題來了:

回過頭問問大家,那你們是怎么來定選擇多少歐姆的串阻呢,或者你們還知道其他的端接方式嗎?


審核編輯 黃宇


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