在AI技術(shù)的快速發(fā)展推動(dòng)下,數(shù)據(jù)中心對(duì)電源功率的需求正呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。納微半導(dǎo)體CEO Gene Sheridan近日在CNBC的WORLDWIDE EXCHANGE節(jié)目中,就這一趨勢(shì)與主持人Frank Holland進(jìn)行了深入討論。
Sheridan分享了關(guān)于下一代功率半導(dǎo)體材料——氮化鎵和碳化硅的廣闊前景。這些新興材料打造的功率芯片,相較于傳統(tǒng)硅基電源,不僅轉(zhuǎn)換速度能快3倍,而且尺寸可縮小至一半,能效也更高。
氮化鎵和碳化硅作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新代表,正成為AI數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)的新選擇。它們的出現(xiàn),不僅滿(mǎn)足了數(shù)據(jù)中心對(duì)高效、快速、小型化電源的需求,更為未來(lái)的智能計(jì)算提供了強(qiáng)大的動(dòng)力支撐。
隨著AI技術(shù)的廣泛應(yīng)用,數(shù)據(jù)中心的電源需求將持續(xù)增長(zhǎng)。而氮化鎵和碳化硅功率半導(dǎo)體的廣泛應(yīng)用,將助力數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)更高的能效比和更小的體積,進(jìn)一步推動(dòng)AI技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。
Sheridan的見(jiàn)解和預(yù)測(cè),無(wú)疑為AI數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)的未來(lái)指明了方向。氮化鎵和碳化硅的火熱前景,值得我們共同期待。
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