同步整流ic U7715支持QC、PD等快充領(lǐng)域

同步整流ic U7715支持QC、PD等快充領(lǐng)域U7715

一方面，同步整流技術(shù)通過減少電壓降實現(xiàn)了更高的效率，這是因為MOSFET在導通狀態(tài)下的導通阻抗遠低于二極管的導通壓降。另一方面，減少的電壓降還意味著在相同的輸出電流條件下，芯片產(chǎn)生的熱量也更少，這有利于提升電源的可靠性和壽命。推薦深圳銀聯(lián)寶科技的同步整流ic U7715，支持High Side和Low Side配置，適用于PD快充和適配器。

YINLIANBAO

同步整流ic U7715電源系統(tǒng)設(shè)計需要保證最小續(xù)流時間Tdem_min大于LEB時間，否則會產(chǎn)生電流倒灌并有可能引起炸機。確保Tdem_min>120%*LEB，其中20%為設(shè)計裕量。最小續(xù)流時間的理論公式為:

其中，Vcs_min為原邊PWMIC過流保護最小閾值， Rcs為原邊采樣電阻，Lm為變壓器激磁電感感量，Vo_max為最大輸出電壓，VF為同步整流壓降(取0.2V)，Nps為變壓器匝比。系統(tǒng)上測試最小續(xù)流時間Tdem_min的條件為:

a) 額定輸入電壓。

b) 最高輸出電壓。

c) 空載。

d) 如下圖所示，測試SR電流的最短持續(xù)時間。

在內(nèi)置MOSFET開通瞬間，同步整流ic U7715漏-源(Drain- Source)之間會產(chǎn)生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統(tǒng)正常工作導致芯片誤關(guān)斷，芯片內(nèi)部集成有前沿消隱電路(LEB)。在內(nèi)置MOSFET導通后的一段時間內(nèi)(TLEB，典型值0.5us)，關(guān)斷比較器被屏蔽，無法關(guān)斷同步整流MOSFET，消隱時間結(jié)束后芯片再正常檢測關(guān)斷條件。

在內(nèi)置MOSFET關(guān)斷瞬間，同步整流ic U7715漏-源(Drain- Source)之間會產(chǎn)生電壓振蕩。為避免此類電壓振蕩干擾系統(tǒng)正常工作導致芯片誤開通，芯片內(nèi)部設(shè)置了最小關(guān)斷時間(Toff_min，典型值600ns)。在Toff_min內(nèi)，開通比較器被屏蔽，無法開通同步整流MOSFET，Toff_min結(jié)束后芯片再開始檢測開通條件。

同步整流芯片作為提升電源轉(zhuǎn)換效率的核心組件，正逐漸成為現(xiàn)代電源設(shè)計不可或缺的一部分。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流ic U7715支持寬范圍輸出電壓應用，特別適用于支持QC、PD等協(xié)議的快充領(lǐng)域！