2024年6月18日,致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下詮鼎推出基于英諾賽科(Innoscience)InnoGaN INN700D140C和INN700DA140C芯片的300W電源適配器方案。
圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的300W電源適配器方案的展示板圖
隨著移動設備對于充電速度和充電效率的需求不斷提升,氮化鎵(GaN)技術在電源適配器領域的應用日益廣泛。與傳統(tǒng)的硅(Si)相比,GaN作為第三代半導體材料具有更寬的間隙和更高的擊穿電壓,因而能夠在緊湊的空間體積內(nèi)提供更高的功率密度。針對這一特點,大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience InnoGaN INN700D140C和INN700DA140C芯片推出300W電源適配器方案,可為用戶帶來高效、輕便的充電體驗。
圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的300W電源適配器方案的場景應用圖
INN700D140C和INN700DA140C均耐壓為700V的增強型氮化鎵晶體管,其中,INN700D140C采用DFN8*8封裝,INN700DA140C采用DFN5*6封裝,兩款器件均適用于高功率應用。它們支持極高的開關頻率,具有零反向恢復電荷,可大幅減少切換損耗,從而提高整體能效。同時,器件擁有極低的柵極電荷和輸出電荷,可進一步優(yōu)化驅動功率消耗和提升開關效率。
圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的300W電源適配器方案的方塊圖
本方案應用領域廣泛,不僅可以為手機、平板、筆記本電腦提供快速充電功能,還能夠滿足家庭場景中對高功率設備的充電需求,例如電視、電動工具、游戲機、LED燈和投影儀等。借助INN700D140C和INN700DA140C,方案在提高效率的同時大大減小適配器的體積。與常規(guī)基于Si MOS的設計對比,在相同的300W輸出功率下,本方案可將產(chǎn)品體積縮減30%,功率密度提高8W/in3。
核心技術優(yōu)勢:
同等規(guī)格下功率密度和效率達到業(yè)內(nèi)先進水平;
選用一塊雙面板,加工簡單,為客戶提供低成本設計方案;
開拓大功率氮化鎵電源應用在適配器市場中的應用。
方案規(guī)格:
尺寸:158mm×60.5mm×20mm;
效率:95.72%@230Vac;
功率密度:25.7W/in3。
審核編輯 黃宇
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