0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達(dá)56.1%

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-06-27 10:50 ? 次閱讀

在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實(shí)力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%,這一突破性的進(jìn)展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理的需求日益增長,傳統(tǒng)的DRAM技術(shù)已難以滿足高性能、高密度的存儲(chǔ)需求。在這樣的背景下,3D DRAM技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,它通過垂直堆疊的方式將多個(gè)存儲(chǔ)層疊加在一起,從而在不增加芯片面積的情況下提高存儲(chǔ)容量和性能。

SK海力士作為半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)之一,一直在積極探索和推動(dòng)3D DRAM技術(shù)的發(fā)展。據(jù)悉,公司早在數(shù)年前就開始了對(duì)3D DRAM技術(shù)的研發(fā)工作,并投入了大量的人力、物力和財(cái)力。經(jīng)過不懈的努力和持續(xù)的創(chuàng)新,SK海力士終于在3D DRAM技術(shù)上取得了重大突破。

在VLSI 2024峰會(huì)上,SK海力士首次詳細(xì)公布了其5層堆疊3D DRAM的具體成果和特性。據(jù)公司透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%。這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測試晶圓上,SK海力士能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元,其中超過一半(即561個(gè))為良品,可用于實(shí)際應(yīng)用。這一良品率的提升不僅證明了SK海力士在3D DRAM技術(shù)上的實(shí)力,也為其未來的商業(yè)化應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

對(duì)于這一突破性的進(jìn)展,SK海力士表示將繼續(xù)加大研發(fā)投入,加速3D DRAM技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。公司計(jì)劃在未來幾年內(nèi)將3D DRAM技術(shù)應(yīng)用于更廣泛的領(lǐng)域,包括高性能計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、人工智能等。同時(shí),SK海力士還將與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)緊密合作,共同推動(dòng)3D DRAM技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,SK海力士在3D DRAM技術(shù)上的突破將對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。首先,它將推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)向更高性能、更高密度的方向發(fā)展,滿足不斷增長的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理需求。其次,它將促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的合作和創(chuàng)新,推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的持續(xù)進(jìn)步。最后,它將為消費(fèi)者帶來更加高效、便捷的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理體驗(yàn),推動(dòng)智能生活的普及和發(fā)展。

總之,SK海力士在3D DRAM技術(shù)上的突破為其未來的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),也為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)帶來了新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。我們期待SK海力士在未來的發(fā)展中能夠繼續(xù)發(fā)揮其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的優(yōu)勢和創(chuàng)新精神,推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的持續(xù)進(jìn)步和發(fā)展。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    26855

    瀏覽量

    214258
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    2298

    瀏覽量

    183204
  • SK海力士
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    943

    瀏覽量

    38399
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    SK海力士推出48GB 16HBM3E產(chǎn)品

    近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。
    的頭像 發(fā)表于 11-05 15:01 ?221次閱讀

    SK海力士12堆疊HBM3E率先量產(chǎn)

    SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重大突破,公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12堆疊HBM3E的量產(chǎn),這一里程碑式的成就標(biāo)志著其在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持
    的頭像 發(fā)表于 09-27 16:49 ?471次閱讀

    SK海力士開發(fā)出第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

    SK海力士宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(jí)(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK
    的頭像 發(fā)表于 08-29 16:39 ?615次閱讀

    SK海力士轉(zhuǎn)向4F2 DRAM以降低成本

    SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對(duì)手三星的步伐,標(biāo)志著SK海力士
    的頭像 發(fā)表于 08-14 17:06 ?713次閱讀

    SK海力士加速NAND研發(fā),400+閃存量產(chǎn)在即

    韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報(bào)道,該公司計(jì)劃于2025年末全面完成400+堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,并預(yù)計(jì)于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生
    的頭像 發(fā)表于 08-02 16:56 ?1022次閱讀

    SK海力士堆疊3D DRAM生產(chǎn)達(dá)到56.1%

    )提交了一份關(guān)于3D DRAM(三維動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的詳細(xì)研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士3D
    的頭像 發(fā)表于 06-24 15:35 ?702次閱讀

    SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術(shù)于DRAM生產(chǎn)

    SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐,計(jì)劃在其第6代(1c工藝,約10nm)DRAM的生產(chǎn)中,首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠(MOR)。這一突破性的應(yīng)用標(biāo)志著MOR技術(shù)正式進(jìn)入
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:02 ?701次閱讀

    SK海力士:HBM3E量產(chǎn)時(shí)間縮短50%,達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)

    據(jù)報(bào)道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)(HBM)—HBM3E的已接近80%。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 14:38 ?749次閱讀

    SK海力士HBM3E內(nèi)存已達(dá)80%

    早在今年3月份,韓國媒體DealSite報(bào)道中指出,全球HBM存儲(chǔ)器的平均約為65%。據(jù)此來看,SK海力士在近期對(duì)HBM
    的頭像 發(fā)表于 05-23 10:22 ?396次閱讀

    消息稱SK海力士測試東京電子低溫蝕刻設(shè)備

    SK 海力士正在與東京電子(TEL)展開緊密合作,通過發(fā)送測試晶圓來評(píng)估后者的低溫蝕刻設(shè)備。這一舉措旨在為未來的NAND閃存生產(chǎn)導(dǎo)入新技術(shù)。在當(dāng)前,增加堆疊層數(shù)已經(jīng)成為提高3D NAN
    的頭像 發(fā)表于 05-08 11:47 ?539次閱讀

    SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025年

    SK海力士宣布,計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:10 ?407次閱讀

    SK海力士考慮新建DRAM工廠

    SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正在積極考慮建設(shè)一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計(jì)劃的推遲,以及對(duì)今年內(nèi)存芯片需求大幅增長的預(yù)測。
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:52 ?517次閱讀

    剛剛!SK海力士出局!

    在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8堆疊,容量為24GB。SK
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:12 ?543次閱讀

    鎧俠向SK海力士提議在日產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器,推動(dòng)合作達(dá)成

    去年,鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置,其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過大。為打破僵局爭取 SK 海力士的支持,鎧俠提出借助其實(shí)施的日本產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 02-18 16:06 ?456次閱讀

    SK海力士持續(xù)投資無錫的原因

    無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM
    發(fā)表于 01-31 11:23 ?761次閱讀