Vishay 改良設(shè)計(jì)的 INT-A-PAK 封裝 IGBT 功率模塊

Vishay 推出五款采用改良設(shè)計(jì)的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 組成，采用 Vishay 的 Trench IGBT 技術(shù)制造，為設(shè)計(jì)人員提供兩種業(yè)內(nèi)先進(jìn)的技術(shù)選件—低 VCE(ON) 或低 Eoff —降低運(yùn)輸、能源及工業(yè)應(yīng)用大電流逆變級(jí)導(dǎo)通或開(kāi)關(guān)損耗。節(jié)能效果優(yōu)于市場(chǎng)上其他器件的 Trench IGBT，與具有超軟反向恢復(fù)特性的第四代 FRED Pt 反并聯(lián)二極管封裝在一起。模塊小型 INT-A-PAK 封裝采用新型柵極引腳布局，與 34 mm 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝 100% 兼容，可采用機(jī)械插接方式更換。為降低 TIG 焊機(jī)輸出級(jí)導(dǎo)通損耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S 和 VS-GT200TS065S 在 + 125 °C，額定電流下，集電極至發(fā)射極電壓僅為 ≤ 1.07 V，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 適用于高頻電源應(yīng)用，開(kāi)關(guān)損耗極低，+ 125 °C，額定電流下，Eoff 僅為 1.0 mJ 。

封裝

優(yōu)勢(shì)

半橋器件采用 Trench IGBT 技術(shù)，可選低 VCE(ON) 或低 Eoff；

用于大電流逆變級(jí)；

應(yīng)用

各種工業(yè)電源逆變器；

鐵路設(shè)備、發(fā)電配電和儲(chǔ)電設(shè)備、焊接設(shè)備；

電機(jī)驅(qū)動(dòng)；

機(jī)器人；