國(guó)產(chǎn)EEPROM與歐美EEPROM的具體參數(shù)對(duì)比

國(guó)產(chǎn)EEPROM與歐美EEPROM的具體參數(shù)對(duì)比

為了更具體地比較國(guó)產(chǎn)EEPROM與歐美EEPROM的差距，下面以益華存儲(chǔ)（EVASH）與歐美知名品牌如Microchip、STMicroelectronics和ON Semiconductor為例。我們將從制程技術(shù)、存儲(chǔ)密度、速度、功耗等參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)對(duì)比。

1. 制程技術(shù)

歐美公司

Microchip：最小制程技術(shù)達(dá)到90nm

STMicroelectronics：最小制程技術(shù)達(dá)到90nm

ON Semiconductor：最小制程技術(shù)達(dá)到90nm

國(guó)內(nèi)公司

益華存儲(chǔ)（EVASH）：0.35μm ~ 90nm eEEPROM，0.13μm ~ 90nm SONOS技術(shù)

2. 存儲(chǔ)密度

歐美公司

Microchip：2Kbit ~ 512Kbit

STMicroelectronics：2Kbit ~ 512Kbit

ON Semiconductor：2Kbit ~ 512Kbit

國(guó)內(nèi)公司

益華存儲(chǔ)（EVASH）：2Kbit ~ 512Kbit

3. 速度

歐美公司

Microchip：EEPROM速度高達(dá) 1MHz

STMicroelectronics：EEPROM速度高達(dá) 1MHz

ON Semiconductor：EEPROM速度高達(dá) 1MHz

國(guó)內(nèi)公司

益華存儲(chǔ)（EVASH）：EEPROM速度高達(dá) 1MHz

4. 功耗

歐美公司

Microchip：

讀操作：典型電流 0.15mA (400kHz)

寫操作：典型電流 0.30mA (400kHz)

待機(jī)模式：典型電流 0.10μA

STMicroelectronics：

讀操作：典型電流 0.16mA (400kHz)

寫操作：典型電流 0.32mA (400kHz)

待機(jī)模式：典型電流 0.10μA

ON Semiconductor：

讀操作：典型電流 0.14mA (400kHz)

寫操作：典型電流 0.28mA (400kHz)

待機(jī)模式：典型電流 0.05μA

國(guó)內(nèi)公司

益華存儲(chǔ)（EVASH）：

讀操作：典型電流 0.14mA (400kHz)

寫操作：典型電流 0.28mA (400kHz)

待機(jī)模式：典型電流 0.03μA

5. 可靠性（續(xù)）

歐美公司

Microchip：數(shù)據(jù)保持時(shí)間100年，耐久性1百萬(wàn)次寫入

STMicroelectronics：數(shù)據(jù)保持時(shí)間100年，耐久性1百萬(wàn)次寫入

ON Semiconductor：數(shù)據(jù)保持時(shí)間100年，耐久性1百萬(wàn)次寫入

國(guó)內(nèi)公司

益華存儲(chǔ)（EVASH）：數(shù)據(jù)保持時(shí)間200年，耐久性4百萬(wàn)次寫入

6. 安全性與加密

歐美公司

Microchip：提供高級(jí)加密算法和數(shù)據(jù)保護(hù)功能

STMicroelectronics：支持安全存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)加密

ON Semiconductor：安全存儲(chǔ)和加密解決方案

國(guó)內(nèi)公司

益華存儲(chǔ)（EVASH）：提供定制的高級(jí)加密算法，保障數(shù)據(jù)安全性

7. 應(yīng)用領(lǐng)域

歐美公司

Microchip：廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域

STMicroelectronics：工業(yè)控制、汽車電子、智能設(shè)備

ON Semiconductor：消費(fèi)電子、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療和汽車電子

國(guó)內(nèi)公司

益華存儲(chǔ)（EVASH）：工業(yè)控制、智能設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域

總結(jié)：

從以上對(duì)比可以看出，歐美知名公司如Microchip、STMicroelectronics和ON Semiconductor在EEPROM制程技術(shù)、存儲(chǔ)密度、速度、功耗以及可靠性方面擁有先進(jìn)的技術(shù)和成熟的產(chǎn)品。相比之下，益華存儲(chǔ)（EVASH）雖然在制程技術(shù)和性能參數(shù)上與其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相近，但在數(shù)據(jù)保持時(shí)間和寫入耐久性方面表現(xiàn)更出色，適合對(duì)數(shù)據(jù)安全性有高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的加劇，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在性能和應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展也在逐步增強(qiáng)，展示出了強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力和潛力。

審核編輯 黃宇