主板CPU和GPU供電部分的組成一般由電容、電感和MOSFET三部分構(gòu)成,一般來說,主板上的1個電感+2個電容+4個MOS管為1相供電,當(dāng)然也有六相供電、八相供電。
這些供電相數(shù)不僅關(guān)系到主板的穩(wěn)定性和耐用性,還直接影響到CPU和GPU的性能表現(xiàn)。多相供電設(shè)計能夠更有效地分散電流負(fù)載,減少每一相供電的工作壓力,從而降低熱量產(chǎn)生,提高供電效率。
MOSFET是供電電路中的開關(guān)元件,它負(fù)責(zé)控制電流的通斷。在主板供電系統(tǒng)中,MOSFET的數(shù)量和質(zhì)量直接影響著供電的效率和穩(wěn)定性。足夠的MOSFET數(shù)量能夠確保電流的穩(wěn)定供應(yīng),而高質(zhì)量的MOSFET則能夠減少能量損耗,提高供電效率。
整體一個過程由PWM產(chǎn)生各相的信號,各相的MOSFET Driver控制各相上橋和下橋MOSFET的開關(guān),各相電感與輸出濾波電容儲能,輸出濾波電容再為CPU供電。
MOSFET為受到柵極電壓控制的開關(guān),對這一相的輸出電感進(jìn)行充電和放電,就在輸出端得到一個穩(wěn)定的電壓,每相電路都要有上橋和下橋,所以每相至少有兩顆MOSFET,而上橋和下橋都可以用并聯(lián)兩三顆代替一顆來提高導(dǎo)通能力,因而每相還可能看到總數(shù)為三顆、四顆甚至五顆的MOSFET。
在主板的DC-DC轉(zhuǎn)換電路中,MOS管是功耗很大的一個元件,同時溫度時的高溫也使得它在超頻時極易燒毀,因此低Qg,低內(nèi)阻,低開關(guān)損耗是相當(dāng)重要的參數(shù)。
在主板供電設(shè)計的選擇上,多相供電不僅意味著更高的穩(wěn)定性和效率,也是超頻愛好者們的首選。這是因為多相供電設(shè)計在處理大電流時,能更好地將負(fù)載分散到多個相位上,從而減少了單個相位的工作壓力,降低了因電流過大而產(chǎn)生的熱量,提升了主板的散熱性能。
對于MOSFET的選擇,其性能參數(shù)如Qg(柵極電荷)、內(nèi)阻和開關(guān)損耗等,都直接影響到供電效率和穩(wěn)定性。低Qg意味著MOSFET的開關(guān)速度更快,響應(yīng)更迅速;低內(nèi)阻則能減少電流通過時的能量損失;低開關(guān)損耗則意味著在開關(guān)過程中產(chǎn)生的熱量更少,有助于保持主板的低溫運(yùn)行。
buck
bost
KSN50N03X、KSN3076X、KSN70N03X、KSN3088X
KSN3072Q、KSN60N03Q、KSN100N03Q、KSN7446Q
以上型號均可用在DC-DC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中。
審核編輯 黃宇
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