日立(HITACHI)耐高壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)/碳化硅(SiC)模塊

耐高壓SiC IGBT模塊是一種集成了碳化硅(SiC)材料和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術(shù)的電力電子器件。SiC材料因其出色的熱導(dǎo)率和電子遷移率，能夠在高溫和高電壓環(huán)境下保持穩(wěn)定性能，從而顯著提高IGBT模塊的耐壓能力和效率。

這種模塊特別適用于高壓直流輸電(HVDC)、電動(dòng)汽車(EV)充電站和可再生能源系統(tǒng)等需要高效能和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景。SiC IGBT模塊能夠減少能量損耗，提高系統(tǒng)效率，同時(shí)由于其耐高溫特性，可以減少散熱需求，簡(jiǎn)化冷卻系統(tǒng)設(shè)計(jì)，降低整體系統(tǒng)成本。

日立(HITACHI)耐高壓碳化硅IGBT模塊已廣泛應(yīng)用于鐵路和各種電力轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域，并被全球各大領(lǐng)先企業(yè)采用。SiC IGBT模塊的快速開關(guān)速度也使其在處理高頻信號(hào)時(shí)表現(xiàn)更優(yōu)，進(jìn)一步擴(kuò)展了其在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用范圍。

碳化硅(全SiC)

·采用SiC MOSFET的超低開關(guān)損耗

·高電流密度封裝

·低電感

·可擴(kuò)展，易于并聯(lián)

碳化硅(混合SiC)

·先進(jìn)的溝槽HiGT - sLiPT技術(shù)

·SiC肖特基勢(shì)壘二極管

·采用SiC二極管的超低恢復(fù)損耗

3300V E2版

·精細(xì)平面HiGT - sLiPT

·低VCE(sat)

·軟開關(guān)

4500V F-H版

·先進(jìn)的溝槽HiGT - sLiPT技術(shù)

·低開關(guān)損耗

·高電流額定值

·符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

*1 注釋：M：批量生產(chǎn)，W：工作樣品，U：研發(fā)中