直流無刷電機之預(yù)驅(qū)芯片及3相H橋電路介紹

一、FD6288T數(shù)據(jù)手冊導(dǎo)讀

二、預(yù)驅(qū)和H橋驅(qū)動電路

三、下橋MOS導(dǎo)通、關(guān)斷流程

下橋MOS的導(dǎo)通流程：

第1步：給LIN1-LIN3 3.3V高電平信號

第2步：預(yù)驅(qū)IC將3.3V高電平信號電平轉(zhuǎn)換到12V，這個12V電壓是預(yù)驅(qū)VCC管腳的供電電壓

第3步：預(yù)驅(qū)IC將12V電壓輸出到下橋MOS的柵極，Vgs>Vth(10V),MOS完全導(dǎo)通

下橋MOS的關(guān)斷流程：

第1步：給LIN1-LIN3 0V低電平信號

第2步：預(yù)驅(qū)IC將0V低電平信號電平轉(zhuǎn)換到0V（也認為是不轉(zhuǎn)換的）

第3步：預(yù)驅(qū)IC將0V電壓輸出到下橋MOS的柵極，Vgs

四、自舉升壓電路關(guān)鍵元器件作用

Cbs電容：自舉電容，C18、C21、C22

Dbs二極管：自舉二極管，D4、D5、D6

R11、R14、R15：自舉電容充電限流

五、自舉電容預(yù)充電流程

第1步：給LIN1-LIN3 3.3V高電平，使得低邊的MOS全部導(dǎo)通

第2步：可以看到12V電壓->Dbs->Vb123->Cbs上端。Cbs下端->下橋MOS->GND之間形成一個回路

第3步：在形成的回路中，給Cbs自舉電容進行充電，經(jīng)過一定的時間充電完成后，最終Vb123點的電壓為12V，此時Cbs電容的充電流程完成。這個充電時間和Vbs電容的容量有關(guān)系。

六、自舉電容升壓流程

自舉電容升壓流程目的是：為了使某一相H橋上橋MOS完全導(dǎo)通（以FD6288T手冊典型電路講解）

理解內(nèi)容點1：我們在理解自舉升壓流程之前，可以簡化為Vb123是通過HIN1-HIN3開關(guān)進行控制的（實際內(nèi)部使用N溝道MOS或者P溝道MOS來搭建的，通過HIN1-HIN3進行這個MOS的通斷控制）。當(dāng)HIN1-HIN3給高電平時，這個Kx開關(guān)閉合，當(dāng)HIN1-HIN3給低電平時，這個Kx開關(guān)斷開。

自舉升壓按照U相上橋MOS導(dǎo)通，下橋V相MOS導(dǎo)通的方式推導(dǎo)。

第1步：給HIN1 3.3V高電平信號

第2步：預(yù)驅(qū)IC將3.3V高電平信號電平轉(zhuǎn)換到12V，12V電壓使得Kx開關(guān)閉合

第3步：Kx開關(guān)閉合后，Vb123和HO123連接，此時上橋MOS柵極電壓就是預(yù)充電時候的Vb123點的電壓，也就是12V，此時Vgs>Vth(10V)，上橋MOS導(dǎo)通

第4步：上橋MOS導(dǎo)通后，此時MOS源極電壓就是24V(上橋MOS導(dǎo)通就是源極和漏極導(dǎo)通，漏極電壓我們接的是24V電源電壓)

第5步：此時我們根據(jù)電壓疊加原理，Vb123位置的電壓被抬升到了24V+12V=36V，又因為Kx是閉合狀態(tài)的，所以MOS柵極電壓HO123輸出Vg電壓是36V，而Vs123電壓在MOS導(dǎo)通狀態(tài)下是24V，所以Vs電壓為24V，所以Vgs=Vg-Vs=36V-24V=12V > Vth(10V)電壓，此時MOS是一個完全導(dǎo)通的狀態(tài)

• 第6步：根據(jù)上面的步驟講解，這整個過程就是自舉電容升壓的全部流程

七、上橋MOS關(guān)斷流程

第1步：給HIN1-HIN3 0V低電平信號

第2步：預(yù)驅(qū)IC將0V低電平信號電平轉(zhuǎn)換到0V（也認為是不轉(zhuǎn)換的）

第3步：此時Kx開關(guān)斷開，Vgs電壓