1
什么是浪涌
浪涌,又稱為“突波”,是超出正常工作電壓的瞬間過電壓。本質(zhì)上講,浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬分之一秒時間內(nèi)的一種劇烈脈沖。
2
產(chǎn)生浪涌的原因
1. 雷電活動:雷電是產(chǎn)生浪涌的主要原因之一。當(dāng)雷電擊中電力線、電話線、天線等導(dǎo)體時,會在這些導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生瞬間的高電壓和大電流,從而引發(fā)浪涌。
2. 電力系統(tǒng)故障:例如短路、斷路、過載等故障,會導(dǎo)致電力系統(tǒng)中的電壓和電流發(fā)生突然變化,產(chǎn)生浪涌。
3. 開關(guān)操作:電器設(shè)備的開關(guān)操作,如開關(guān)電源、電動機啟動和停止等,也可能導(dǎo)致電流的突變,引發(fā)浪涌。
4. 感性負載啟動:電動機、變壓器等感性負載在啟動時,會產(chǎn)生較大的感應(yīng)電動勢,從而引發(fā)浪涌。
5. 電磁干擾:附近的電磁輻射源,如無線電發(fā)射塔、手機基站等,可能會對電力系統(tǒng)產(chǎn)生電磁干擾,導(dǎo)致浪涌的產(chǎn)生。
浪涌是一種瞬間過電壓,可能會對芯片造成損害。浪涌會在芯片中產(chǎn)生瞬間的高電流和高電壓,這可能會導(dǎo)致芯片中的電路燒毀或損壞。此外,浪涌還可能會導(dǎo)致芯片中的數(shù)據(jù)丟失或損壞,從而影響芯片的正常工作。因此,對于一些對電壓敏感的芯片,如微控制器、傳感器和存儲器等,需要采取浪涌保護措施,以確保芯片的可靠性和穩(wěn)定性。
3
浪涌測試標(biāo)準(zhǔn)
IEC 61000-4-5
該協(xié)議定義了由切換的過電壓和雷擊瞬變導(dǎo)致的單向電涌的多個試驗等級與不同的環(huán)境和安裝條件,涉及抗擾度要求、試驗方法、設(shè)備推薦的。
該標(biāo)準(zhǔn)的目標(biāo)是為了評估電氣和電子設(shè)備抗浪涌擾度的能力,確定說明系統(tǒng)防止特定現(xiàn)象抗擾度的通用試驗方法。
標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)定義了:
試驗級別的范圍;
試驗設(shè)備;
試驗設(shè)置;
試驗程序。
4
如何模擬浪涌
主要模擬電源系統(tǒng)切換瞬間和雷電瞬間產(chǎn)生的浪涌:
電源系統(tǒng)切換瞬態(tài)可以分成與以下幾方面有關(guān)的瞬態(tài):
主電源系統(tǒng)切換擾動,例如:電容器組的切換;
配電系統(tǒng)中的小型本地切換活動或負載變更;
與切換裝置相關(guān)的諧振電路(例如:晶閘管、晶體管);
各種系統(tǒng)故障,例如:安裝的接地系統(tǒng)出現(xiàn)短路故障和電弧故障。
雷擊產(chǎn)生電涌電壓的主要原理如下:
直接雷擊于外部電路(戶外),注入的大電流流過接地電阻或外部電路阻抗而產(chǎn)生電壓;
間接雷擊放電(即云層間或云層內(nèi)放電,或放電到產(chǎn)生電磁場的靠近物體)導(dǎo)致建筑物內(nèi)部和/或外部的導(dǎo)體產(chǎn)生電壓/電流;
附近直接對地放電的雷擊入地電流耦合到設(shè)備組接地系統(tǒng)的公共接地路徑。
防雷裝置運行導(dǎo)致的電壓和電流流動快速變化會引發(fā)相鄰設(shè)備內(nèi)的電磁擾動。
5
浪涌測試等級
級別 | 開路試驗電壓kV | |
線路至線路 | 線路至接地b | |
1 | --- | 0.5 |
2 | 0.5 | 1 |
3 | 1 | 2 |
4 | 2 | 4 |
Xa | 專用 | 專用 |
a. "X"可為任何級別,高于、低于其他級別或介于其他級別之間。等級應(yīng)在專用設(shè)備規(guī)范中進行規(guī)定。
b. 針對對稱互連線路,只要考慮到接地(即:線路至接地),則可以同時對多個線路進行試驗。
6
浪涌測試電壓波形
“
6.1
1.2/50 μs 和 8/20 μs 的波形參數(shù)的定義
波前時間Tf μs |
持續(xù)時間Td μs |
|
開路電壓 | T(f) = 1.67 × T = 1.2 ± 30% | T(d) = T(w)= 50 ± 20% |
短路電流 | T(f) = 1.25 × T(r)= 8 ± 20% | T(d) = 1.18 × T(w)= 20 ± 20% |
“
6.2
峰值開路電壓與峰值短路電流之間的聯(lián)系
發(fā)生器輸出處的 開路峰值電壓 ± 10 % |
發(fā)生器輸出處的 短路峰值電流 ± 10 % |
0.5 kV | 0.25 kA |
1.0 kV | 0.5 kA |
2.0 kV | 1.0 kA |
4.0 kV | 2.0 kA |
“
6.3
發(fā)生器輸出處的開路電壓 (1.2/50 μs) 的波形
波前時間:T(f) = 1.67 × T = 1.2 μs ± 30%
持續(xù)時間:T(d) = T(w) = 50 μs ± 20%
注:數(shù)值1.67是0.9與0.3閾值之間的差異的倒數(shù)。
“
6.4
發(fā)生器輸出處的短路電流 (8/20 μs) 的波形
波前時間:T(f) = 1.25 × T(r) = 8 μs ± 20%
持續(xù)時間:T(d) = 1.18 × T(w) = 20 μs ± 20%
注1:數(shù)值25是0.9與0.1閾值之間的差異的倒數(shù)。
注2:數(shù)值1.18從經(jīng)驗數(shù)據(jù)而得出。
7
Surge測試設(shè)備
圖為芯樸科技浪涌測試環(huán)境
芯樸科技致力于高性能高品質(zhì)射頻前端芯片模組研發(fā),產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于手機、物聯(lián)網(wǎng)模塊、智能終端等多個領(lǐng)域組成的海量市場。公司的使命和愿景是為客戶提供簡單極致易用的射頻前端解決方案。
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原文標(biāo)題:浪涌測試標(biāo)準(zhǔn)IEC 61000-4-5簡介
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