動態(tài)調(diào)整電源芯片輸出電壓

這個是前陣子紅外觸摸框上的部分電路圖，主要功能是通過調(diào)整LDO輸出電壓間接控制發(fā)射燈的輸出功率，電路圖如下：

可以看到，電路通過八選一模擬開關SGM48751選擇不同的分壓電阻，從而達到讓LDO的VCC_TLED輸出不同的電壓值，例如單片機控制管腳VCTRLA，VCTRLB，VCTRLC輸出分別為000，那么將控制X0與通道X相連，SGM48751的真值表如下：

那么 此時LDO的反饋電阻分別為R106 = 64.9K和R112 =100K（對應到下圖就是R1 = 64.9K，R2 = 100K），此時輸出電壓應該為2V左右。SGM2019的輸出電壓公式如下圖所示：

那么以此類推，便可以通過控制VCTRLA，VCTRLB，VCTRLC為000~111這8種狀態(tài)，來讓LDO輸出8種不同的電壓值，從而達到調(diào)節(jié)發(fā)射燈功率的目的。這種調(diào)節(jié)輸出電壓的方式還是很值得學習借鑒的。

在某些場合，需要針對 SOC主頻的不同，需要動態(tài)調(diào)整 SOC 的 Core Power。通過調(diào)整內(nèi)核供電電壓，實現(xiàn)SOC主頻的調(diào)整。也可以使用MOS管去調(diào)整FB反饋電阻大小。

例如：

SSD210在Core Power=0.9V時，主頻為800MHz。

在Core Power=1.0V時，主頻為1GHz

但是無論主頻軟件設置 800MHz/1GHz，都需要 Core Power=1.0V 啟動（SSD210）。

那么硬件電路如何設計調(diào)整內(nèi)核供電呢？

電路圖如下，采用Q15控制反饋電阻，上電時，Q15導通，此時反饋電壓等于輸出電壓在50KΩ和75KΩ（100K并聯(lián)300K）分壓值，此時電路輸出1V即提供內(nèi)核啟動電壓。

當系統(tǒng)工作后，比如系統(tǒng)想要降低功耗，或者在高溫情況下，需要動態(tài)調(diào)壓，降低芯片主頻以減少發(fā)熱。只需要通過使用IO輸出低電平，使Q15截止；那么，反饋電壓等于輸出電壓在50KΩ與100KΩ分壓值，便可調(diào)整Core的供電電壓為0.9V，從而將SOC的主頻降低為0.8MHz。

本文轉(zhuǎn)載自24c01硬件電子公眾號