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更低損耗、更快反向保護(hù)!思瑞浦推出汽車級(jí)理想二極管ORing控制器TPS65R01Q

思瑞浦3PEAK ? 2024-07-18 08:37 ? 次閱讀

聚焦高性能模擬芯片嵌入式處理器半導(dǎo)體供應(yīng)商思瑞浦3PEAK(股票代碼:688536)發(fā)布汽車級(jí)理想二極管ORing控制器TPS65R01Q

TPS65R01Q擁有20mV正向調(diào)節(jié)功能,降低系統(tǒng)損耗??焖俜聪蜿P(guān)斷(Typ:0.39μs),在電池反向和各種汽車電氣瞬變條件下提供保護(hù)。

TPS65R01Q可廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制企業(yè)電源、汽車主機(jī)、ADAS儀表盤、HUD等多個(gè)終端場(chǎng)景。

TPS65R01Q產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

電池反向保護(hù)、快速關(guān)斷、零直流反向電流

電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,直接使用電池供電的模塊或子系統(tǒng),在感性負(fù)載與電池?cái)嚅_連接期間出現(xiàn)動(dòng)態(tài)反極性或電池安裝過(guò)程中出現(xiàn)反接時(shí),會(huì)導(dǎo)致連接的模塊、子系統(tǒng)電路遭到損壞。

TPS65R01具有電池反向保護(hù)功能,可承受最大-65V的反向電壓,有效保護(hù)與電池相連接的模塊和子系統(tǒng)。

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反向保護(hù)延時(shí):Trev_Delay(380ns)


e5f28a9c-449d-11ef-817b-92fbcf53809c.pngTrev_Delay VS Temp

降低正向功耗

傳統(tǒng)的串聯(lián)肖特基二極管雖然能夠提供反向電壓保護(hù),但當(dāng)負(fù)載電流增加時(shí),二極管的結(jié)溫會(huì)顯著升高,這不僅會(huì)加劇熱問(wèn)題,還可能因高溫導(dǎo)致反向漏電流上升,進(jìn)而影響整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。因此,熱管理在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中顯得尤為重要。

TPS65R01Q具備20mV正向調(diào)節(jié)功能,相比于肖特基二極管的VF值(0.3V左右@1A),TPS65R01Q的正向電壓更低,這意味著在相同條件下,熱損耗顯著減少。這種改進(jìn)不僅提升了系統(tǒng)的可靠性,還有助于降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)和運(yùn)行的成本。

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低靜態(tài)功耗

TPS65R01Q常溫下正常工作電流典型值60μA,全溫度范圍內(nèi)不超過(guò)100μA。

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更好的冷啟動(dòng)性能

在汽車?yán)鋯?dòng)期間,電池電壓會(huì)降低到4V左右,在這種情況下,使用PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體)方案可能會(huì)導(dǎo)致PMOS的溝道電阻急劇增加,從而在PMOS兩端產(chǎn)生較大的電壓降,這可能會(huì)引起斷路,導(dǎo)致系統(tǒng)重新啟動(dòng)。

TPS65R01具有出色的冷啟動(dòng)性能,即使在冷啟動(dòng)運(yùn)行期間輸入電壓低于4V(仍高于3.2V)時(shí),也能確保外部NMOS保持完全增強(qiáng)狀態(tài)。

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Vin從12V降到3.5VTPS65R01正向調(diào)節(jié)功能正常

ORing電源平滑切換

下圖展示了在雙電源配置中,當(dāng) VIN1 固定在12V,而 VIN2 在4V至60V之間進(jìn)行動(dòng)態(tài)切換時(shí),系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)從 VIN1 到 VIN2 的平滑切換,確保輸出在切換過(guò)程中保持穩(wěn)定。

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VIN1 @12V,VIN2 @4V to 60V

TPS65R01Q典型應(yīng)用

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單電源應(yīng)用

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雙電源應(yīng)用

TPS65R01Q產(chǎn)品特性

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寬輸入電壓:3.2V-60V

最大-65V的反向電壓承受能力

正向調(diào)制電壓:20mV

反向關(guān)斷電壓:-11mV

最大關(guān)斷電流:2.3A

反向關(guān)斷延時(shí):390ns

正向恢復(fù)延時(shí):1.5μs

支持多顆NMOS并聯(lián)

溫度范圍:-40℃ to 125℃

封裝:SOT23-6

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TPS65R01Q雙電源EVM Board

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