微導(dǎo)納米：發(fā)布自主研發(fā)的“先進(jìn)封裝低溫薄膜應(yīng)用解決方案”

在“第十六屆集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇（CIPA 2024）”上，微導(dǎo)納米大放異彩，首次發(fā)布了自主研發(fā)的“先進(jìn)封裝低溫薄膜應(yīng)用解決方案”。該方案專為半導(dǎo)體領(lǐng)域2.5D和3D先進(jìn)封裝技術(shù)的低溫工藝需求設(shè)計(jì)，能夠在50~200°C的低溫區(qū)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、高均勻性、高可靠性的薄膜沉積效果。這一創(chuàng)新不僅豐富了公司的產(chǎn)品線，也進(jìn)一步鞏固了其在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。方案包括iTronix LTP系列低溫等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)、iTomic PE系列等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)、iTomic MeT系列金屬及金屬氮化物沉積系統(tǒng)等多款公司自主研發(fā)的低溫薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)品。其中，iTronix LTP系列低溫等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)能夠在低溫下實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的SiO2、SiN和SiCN薄膜沉積，適用于混合鍵合的介電層(ILD)、低k阻擋層和堆疊薄膜(BVR)。

iTomic PE系列等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)可沉積高質(zhì)量的 SiO2和 SiN薄膜，適用于高深寬比的 TSV 襯墊，能夠在極高深寬比的通孔內(nèi)形成均勻且致密的絕緣層，保證了器件性能的穩(wěn)定。

微導(dǎo)納米指出，公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域已推出包括iTomic系列原子層沉積系統(tǒng)、iTomic MW 系列批量式原子層沉積系統(tǒng)、iTomic PE系列等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)、iTronix 系列化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)等系列產(chǎn)品，現(xiàn)有產(chǎn)品能夠?qū)壿?a href="http://ttokpm.com/v/tag/137/" target="_blank">芯片、存儲(chǔ)芯片、化合物半導(dǎo)體、新型顯示(硅基 OLED)中的薄膜沉積應(yīng)用實(shí)現(xiàn)較為全面的覆蓋，公司目前產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋 HfO?、Al?O3、ZrO?、TiO?、La?O3、ZnO、SiO?、TiN、TiAl、TaN、AlN、SiN、SiON、SiCN、無定形碳、SiGe 等多種薄膜材料。

審核編輯 黃宇