DRAM 靈敏放大器是由兩個交叉耦合的CMOS反相器組成的簡單電路,因此它是一個SRAM單元。
位線(BL) 最初被預(yù)充電到Vdd/2。在讀取期間,位線的電壓變化很小。如果位線的電壓高于Vdd/2 (圖a),則n2 nMOS晶體管開始導(dǎo)通,并將預(yù)充電線拉低到“0”,這反過來又導(dǎo)致p1 pMOS晶體管導(dǎo)通。在一個小的延遲之后,BL被拉高,并且OUT=1。
另一方面,如果位線的電壓低于Vdd/2 (圖b) ,(p2)pMOS晶體管開始導(dǎo)通,并將預(yù)充電線拉到“1”。這反過來又導(dǎo)致n1 nMOS晶體管導(dǎo)通。在一個小的延遲之后,BL被拉到“0”,并且OUT=0。
因此,交叉連接的反相器產(chǎn)生的反饋放大了BL與預(yù)充電輸入基準之間的小電壓差,直到位線完全處于最低電壓或最高電壓。
DRAM 靈敏放大器的主要功能是當晶體管被接通,感應(yīng)位線上微小電壓擺動。放大器的第二個功能是在感應(yīng)到位線上的電壓后,恢復(fù)電容的值。
打開晶體管允許存儲電容與位線共享其存儲的電荷。然而,共享存儲電容電荷的過程使該DRAM cell放電,因此DRAM cell中的信息丟失,無法再次讀取。但這些信息存儲在感應(yīng)放大器中,因為感應(yīng)放大器的雙穩(wěn)態(tài)電路由兩個交叉耦合的反相器組成。因此,只要電源電壓存在,它就可以存儲信息。因此,在感應(yīng)之后,使用感應(yīng)放大器將位值寫回存儲單元。這種操作稱為預(yù)充電precharge。
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原文標題:DRAM 靈敏放大器的基本操作
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