通過(guò)三相逆變電路比較PrestoMOS?與普通SJ MOSFET的效率（仿真）

本文將介紹第四個(gè)主題，也是本系列文章的最后一篇“通過(guò)三相逆變電路比較PrestoMOS?與普通SJ MOSFET的效率”。這次是通過(guò)仿真來(lái)進(jìn)行效率比較的。

逆變電路的種類和通電方式

三相調(diào)制逆變電路的基本工作

通過(guò)雙脈沖測(cè)試比較PrestoMOS?與普通SJ MOSFET的損耗（實(shí)際測(cè)試結(jié)果）

通過(guò)三相調(diào)制逆變電路比較PrestoMOS?與普通SJ MOSFET的效率（仿真）

通過(guò)三相調(diào)制逆變電路比較PrestoMOS?與普通SJ MOSFET的效率（仿真）

繼上一篇中通過(guò)雙脈沖測(cè)試進(jìn)行損耗比較的內(nèi)容之后，本文中我們將對(duì)本系列文章的評(píng)估對(duì)象——三相調(diào)制逆變電路中的效率進(jìn)行比較。MOSFET與雙脈沖測(cè)試中使用的產(chǎn)品型號(hào)一樣，即PrestoMOS? 和普通的SJ MOSFET 。這次是通過(guò)仿真來(lái)進(jìn)行效率比較的。圖1為仿真電路。

圖1 三相逆變器的仿生電路圖

仿真條件是根據(jù)雙脈沖測(cè)試電路中所用的條件進(jìn)行了如下設(shè)置：

1）柵極驅(qū)動(dòng)電壓VGS：0V to 12V

2）電源電壓Vin：280Vdc

3）電感LU、LV、LW：8mH

4）開(kāi)關(guān)頻率fsw：5kHz

5）柵極電阻RG(on)：根據(jù)器件進(jìn)行變更（為了使導(dǎo)通的di/dt達(dá)到100A/μs）
? PrestoMOS? R6030JNx：60Ω（并聯(lián)3個(gè)180Ω電阻）
? R6030KNx：180Ω

6）柵極電阻RG(off)：22Ω

7）輸出功率POUT：100W、300W、500W、700W、1000W

圖2為仿真得到的效率。圖3為仿真過(guò)程中1個(gè)MOSFET的損耗。

圖2 效率結(jié)果（仿真結(jié)果）

圖3 1個(gè)MOSFET的損耗（仿真結(jié)果）

從結(jié)果可以看出，PrestoMOS? R6030JNx（紅線）的效率更高，其優(yōu)異的反向恢復(fù)特性是非常有助于提高效率的。另外，關(guān)于損耗，當(dāng)輸出功率為1000W時(shí)，1個(gè)MOSFET的損耗改善了0.5W，而使用6個(gè)MOSFET時(shí)，這些MOSFET加起來(lái)可以改善3W的損耗。