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碳化硅器件的應用領域和技術挑戰(zhàn)

國晶微第三代半導體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導體碳化 ? 2024-08-07 16:42 ? 次閱讀

碳化硅(SiC)是一種以碳和硅為主要成分的半導體材料,近年來在電子器件領域的應用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅具有更高的擊穿電場、更高的熱導率和更高的電子飽和速度等優(yōu)異特性,使其在高功率、高頻和高溫等極端條件下表現(xiàn)出色。因此,碳化硅器件被廣泛認為是未來電子技術的重要發(fā)展方向之一。

碳化硅材料的特性

1.高擊穿電場

碳化硅的擊穿電場是硅的十倍左右,這意味著碳化硅器件可以在更高的電壓下工作,而不會因電場過高而擊穿。這一特性使得碳化硅特別適用于高功率應用,如電力電子、功率變換器和高壓開關等。

2.高熱導率

碳化硅的熱導率是硅的三倍,這使得碳化硅器件在高溫環(huán)境下依然能夠保持良好的散熱性能,減少了由于過熱導致的性能下降和器件失效的風險。這一特性使碳化硅器件在需要高效散熱的應用中具有顯著優(yōu)勢。

3.高電子飽和速度

碳化硅的電子飽和速度比硅高出兩倍以上,這使得碳化硅器件能夠在高頻條件下高效運行,適用于射頻微波等高頻電子應用。此外,高電子飽和速度還意味著碳化硅器件在快速開關和高頻電路中具有更低的功耗和更高的效率。

碳化硅器件的應用領域

1.電動汽車

電動汽車是碳化硅器件最重要的應用領域之一。碳化硅器件可以顯著提高電動汽車的功率系統(tǒng)效率,延長電池續(xù)航里程,并減少充電時間。例如,碳化硅基功率模塊可以提高逆變器和充電器的效率,使電動汽車在更短時間內(nèi)完成充電,同時減少系統(tǒng)散熱需求,降低散熱系統(tǒng)的體積和重量。

2.可再生能源

在太陽能和風能等可再生能源系統(tǒng)中,碳化硅器件能夠顯著提高能量轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。例如,使用碳化硅器件的光伏逆變器具有更高的轉(zhuǎn)換效率和更長的使用壽命,從而降低了系統(tǒng)的總成本。此外,碳化硅器件在高壓直流輸電(HVDC)系統(tǒng)中也具有廣泛的應用前景,能夠?qū)崿F(xiàn)更高效的電能傳輸。

3.工業(yè)自動化

工業(yè)自動化領域,碳化硅器件可以用于高功率、高頻的電力電子設備,如變頻器、伺服驅(qū)動器電機控制器等。這些設備通常需要在高溫、高壓和高頻條件下工作,碳化硅器件的優(yōu)異性能使其能夠滿足這些嚴苛的工作要求,提高系統(tǒng)的可靠性和效率。

4.航空航天

碳化硅器件在航空航天領域具有重要應用,能夠在極端環(huán)境下工作,如高溫、高壓和強輻射等條件。碳化硅器件的高擊穿電場和高熱導率使其能夠在這些環(huán)境中保持穩(wěn)定的性能,提高航空航天系統(tǒng)的可靠性和安全性。

碳化硅器件的技術挑戰(zhàn)

盡管碳化硅器件具有諸多優(yōu)點,但在實際應用中仍面臨一些技術挑戰(zhàn)。

1.制造成本

碳化硅材料的制造成本較高,特別是在晶圓制造和器件加工過程中。碳化硅晶圓的生產(chǎn)需要高溫高壓條件,設備和工藝復雜,導致成本較高。如何降低碳化硅器件的制造成本,提升經(jīng)濟性,是當前研究的重點之一。

2.材料缺陷

碳化硅晶體在生長過程中容易產(chǎn)生材料缺陷,如位錯、堆垛層錯等。這些缺陷會影響碳化硅器件的性能和可靠性。盡管通過改進生長工藝和優(yōu)化材料可以減少缺陷,但徹底消除材料缺陷仍是一個挑戰(zhàn)。

3.封裝和散熱

碳化硅器件在高功率和高頻條件下工作時會產(chǎn)生大量熱量,如何有效地進行封裝和散熱是一個重要問題。傳統(tǒng)的封裝技術和材料可能無法滿足碳化硅器件的散熱需求,需要開發(fā)新的封裝方法和高效散熱材料。

未來發(fā)展方向

碳化硅器件的發(fā)展前景廣闊,未來的研究和發(fā)展將集中在以下幾個方面:

1.提高制造工藝

改進碳化硅晶圓的生長工藝,降低缺陷密度,提高晶圓質(zhì)量,從而提升器件性能和可靠性。同時,優(yōu)化器件制造工藝,降低生產(chǎn)成本,使碳化硅器件在更多應用領域具有經(jīng)濟競爭力。

2.新型封裝技術

開發(fā)適用于碳化硅器件的新型封裝技術,特別是高效散熱封裝材料和方法,以解決碳化硅器件在高功率、高頻條件下的散熱問題。高效的封裝技術將進一步提高碳化硅器件的性能和可靠性。

3.集成電路技術

碳化硅集成電路技術的發(fā)展將推動碳化硅器件在更多領域的應用,如通信、雷達和高頻電子系統(tǒng)等。通過開發(fā)高性能的碳化硅集成電路,可以實現(xiàn)更高的集成度和更優(yōu)異的性能。

4.應用拓展

隨著碳化硅器件技術的不斷成熟,其應用領域?qū)⑦M一步拓展。除了電動汽車、可再生能源、工業(yè)自動化和航空航天等傳統(tǒng)應用領域,碳化硅器件在醫(yī)療電子、智能電網(wǎng)和先進通信等新興領域也具有廣闊的應用前景。

結(jié)論

碳化硅器件以其優(yōu)異的高功率、高頻和高溫特性,在電子技術領域展現(xiàn)出了革命性的潛力。盡管在制造成本、材料缺陷和封裝散熱等方面仍面臨挑戰(zhàn),但隨著技術的不斷進步和應用需求的增加,碳化硅器件必將在未來的電子技術中占據(jù)重要地位。通過持續(xù)的研究和開發(fā),碳化硅器件將為電動汽車、可再生能源、工業(yè)自動化和航空航天等領域帶來更高效、更可靠的解決方案,推動電子技術的創(chuàng)新和發(fā)展。

無錫國晶微半導體技術有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規(guī)集成電路研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高科技創(chuàng)新型企業(yè),從事碳化硅場效應管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產(chǎn)品芯片設計、生產(chǎn)與銷售并提供相關產(chǎn)品整體方案設計配套服務,總部位于江蘇省無錫市高新技術開發(fā)區(qū)內(nèi),并在杭州、深圳和香港設有研發(fā)中心和銷售服務支持中心及辦事處。

公司具有國內(nèi)領先的研發(fā)實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質(zhì)穩(wěn)定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產(chǎn)品,同時提供一站式的應用解決方案和現(xiàn)場技術支持服務,使客戶的系統(tǒng)性能優(yōu)異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn),產(chǎn)品完全可以對標國際品牌同行的先進品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級、車規(guī)級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品,性能達到國際先進水平,應用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國防軍工等領域。由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,大幅降低開關損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統(tǒng)整體可靠性,可使電動汽車在續(xù)航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現(xiàn)設計用充電樁的高溫環(huán)境下安全、穩(wěn)定運行。

特別在高低壓光耦半導體技術方面更是擁有業(yè)內(nèi)領先的研發(fā)團隊。在國內(nèi)創(chuàng)先設計開發(fā)了28nm光敏光柵開關PVG芯片技術,并成功量產(chǎn)應用于60V、400V、600V高低壓、低內(nèi)阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrmsSOP超小封裝及3750kVrms隔離增強型常規(guī)SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產(chǎn)品,另包括200VSOIMOS/LIGBT集成芯片、100VCMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產(chǎn)品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構(gòu)的新產(chǎn)品認定。

公司核心研發(fā)團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發(fā)。公司建立了科技創(chuàng)新和知識產(chǎn)權管理的規(guī)范體系,在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術,擁有多項國際、國內(nèi)自主發(fā)明專利。

“國之重器,從晶出發(fā),自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業(yè)目標,我們?yōu)閱T工提供精彩的發(fā)展空間,為客戶提供精良的產(chǎn)品服務,我們真誠期待與您攜手共贏未來。

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原文標題:碳化硅材料的特性!

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