國產(chǎn)高性能晶振/溫補(bǔ)晶振兼容SiTime用于可穿戴設(shè)備

隨著可穿戴設(shè)備不斷向小型化、低功耗和高性能發(fā)展，振蕩器在可穿戴設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用。振蕩器是一種能夠產(chǎn)生周期性信號的電子元件，為設(shè)備提供了精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號，確保各種功能的同步和準(zhǔn)確運(yùn)行。例如，它能控制設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸速率、處理器的工作節(jié)奏以及無線通信的頻率等。

常見的可穿戴設(shè)備振蕩器類型包括石英晶體振蕩器和MEMS振蕩器。石英晶體振蕩器具有高精度和高穩(wěn)定性的特點(diǎn)。MEMS振蕩器則在小型化方面具有優(yōu)勢，同時(shí)也能滿足大多數(shù)可穿戴設(shè)備對頻率穩(wěn)定性的要求。

國芯思辰高性能晶振/溫補(bǔ)晶振是業(yè)界首款數(shù)字技術(shù)TCXO芯片，能夠PIN TO PIN替換SiTime的相關(guān)產(chǎn)品，多種標(biāo)準(zhǔn)頻率支持各式輸出格式，用戶可指定器件上電默認(rèn)輸出頻率，格式及使能狀態(tài)。該器件是采用的是數(shù)模混合的補(bǔ)償架構(gòu)，擁有更高性能、更低功耗，他可以提供10~156.25MHz范圍的輸出頻率；這使得它在多種應(yīng)用領(lǐng)域中都有廣泛的適用性。

國芯思辰高性能晶振/溫補(bǔ)晶振特點(diǎn)介紹如下：

?支持各類輸出格式，如LVDS，LVPECL，HCSL等；

?支持0.8~1.2V低電壓LVCMOS；

?-40~105℃全溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定度：

差分晶振:±10ppm；

溫補(bǔ)晶振:±0.5/0.28/0.05ppm；

?極低功耗：低電壓LVCMOS輸出模式整體電流小于2mA；

極低相噪，-125 dBc/Hz @100Hz；

極低抖動，達(dá)100fs以下；

? VCXO，DCXO，VCTCXO進(jìn)階功能選項(xiàng)；

?內(nèi)置LDO，只需旁路電容濾波，簡化電源設(shè)計(jì)；

?提供5032、3225、2520、2016封裝選項(xiàng)；

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