愛(ài)普生S1X8H000和S1K8H000系列單芯片DMOS-ASIC1

精工愛(ài)普生株式會(huì)社（TSE:6724，“愛(ài)普生”）目前正在銷售單芯片DMOS-ASIC1產(chǎn)品為特定應(yīng)用集成IP核2，并在DMOS（雙擴(kuò)散MOSFET）上集成邏輯電路3其支持高電壓和高電流。愛(ài)普生已開(kāi)始接受S1X8H000和S1K8H000系列DMOS ASIC的國(guó)內(nèi)訂單。

與此同時(shí)，隨著世界越來(lái)越關(guān)注應(yīng)對(duì)全球變暖的努力為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，半導(dǎo)體市場(chǎng)正在尋求解決電力損失的問(wèn)題。對(duì)半導(dǎo)體的需求正在上升即使與高壓兼容，也能有效利用電力的組件以及高電流。此外，對(duì)低功耗半導(dǎo)體元件的需求由于家用電器的持續(xù)擴(kuò)張，減少電力損失的速度正在加快新興國(guó)家的電子市場(chǎng)以及電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力汽車的增長(zhǎng)，以及其他下一代汽車。

為了滿足這一需求并解決環(huán)境問(wèn)題，愛(ài)普生決定進(jìn)入市場(chǎng)用于支持高電壓和高電流的DMOS ASIC。這是一個(gè)公司可以利用低功耗CMOS工藝和DMOS工藝技術(shù)，在內(nèi)部開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)供內(nèi)部使用的芯片過(guò)程中積累的。愛(ài)普生已經(jīng)積累了一系列基于知識(shí)產(chǎn)權(quán)的IP內(nèi)核，這些內(nèi)核是該公司為自己的成品開(kāi)發(fā)的。愛(ài)普生將使用基于四十年經(jīng)驗(yàn)的ASIC開(kāi)發(fā)方法將產(chǎn)品商業(yè)化，為行業(yè)提供長(zhǎng)期穩(wěn)定的供應(yīng)和靈活的設(shè)計(jì)。

愛(ài)普生將首先提供S1X8H000和S1K8H000系列低功耗ASIC產(chǎn)品（嵌入式陣列和標(biāo)準(zhǔn)單元），結(jié)合了0.15微米CMOS和DMOS技術(shù)以支持高電壓和高電流，并且還可以集成控制邏輯電路實(shí)現(xiàn)低功耗。

愛(ài)普生利用其獨(dú)特的電路工程技術(shù)來(lái)解決以前的難題集成模擬控制元件。功率半導(dǎo)體元件、專用IC和高

預(yù)先提供占據(jù)板空間的電壓和高電流組件作為IP集成了由客戶設(shè)計(jì)的芯片、內(nèi)核甚至邏輯電路以創(chuàng)建單芯片DMOS ASIC。這減輕了采購(gòu)多個(gè)零件的需要，減少了零件的數(shù)量，并通過(guò)優(yōu)化控制電流消耗來(lái)節(jié)省電力，這有助于客戶使產(chǎn)品更小，降低功耗，降低開(kāi)發(fā)成本。這些產(chǎn)品非常適合雙向通信網(wǎng)絡(luò)電路的廣泛應(yīng)用，如IO-Link、高壓開(kāi)關(guān)、開(kāi)關(guān)電源、具有內(nèi)置控制功能的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的H橋。

產(chǎn)品特點(diǎn)

-與傳統(tǒng)的高壓MOS工藝相比，DMOS晶體管的導(dǎo)通電阻降低了50%或更多，降低了功耗，在保持高壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高效率。

-0.15微米CMOS邏輯電路、DMOS工藝、非易失性存儲(chǔ)器等可以集成在芯片上。

-許多功能可以作為IP核提供。

IP核示例*：具有過(guò)電流檢測(cè)功能的DMOS晶體管、H橋電路、LDO、，

EEPROM、SRAM、安全功能欠壓檢測(cè)、過(guò)壓檢測(cè)、發(fā)熱檢測(cè)

*愛(ài)普生計(jì)劃開(kāi)發(fā)一系列額外的IP核。

外形規(guī)格

系統(tǒng)架構(gòu)

1 ASIC：專用集成電路。ASIC是一種電子元件，是任何集成電路其將用于特定應(yīng)用的多個(gè)功能的電路組合到單個(gè)封裝中。愛(ài)普生的ASIC產(chǎn)品線包括多個(gè)系列的門陣列、嵌入式陣列和標(biāo)準(zhǔn)單元，具體取決于定制的程度。

2 IP核（知識(shí)產(chǎn)權(quán)核）：用于配置LSI的電路信息塊，尤其是提供特定功能。

3 DMOS（雙擴(kuò)散MOSFET）：一種從表面到表面使用大量電力的晶體管并且具有通過(guò)在垂直方向上傳遞大電流來(lái)實(shí)現(xiàn)高耐壓的結(jié)構(gòu)晶片的方向。DMOS通常用于幾十秒到幾百秒之間的耐壓范圍伏特。

4 CMOS（互補(bǔ)MOS）：一種使用互補(bǔ)對(duì)n型MOS晶體管和p型MOS晶體管的邏輯電路MOS晶體管，可以通過(guò)改變添加到半導(dǎo)體中的雜質(zhì)來(lái)創(chuàng)建。電力消耗CMOS半導(dǎo)體的厚度可以遠(yuǎn)低于僅由n型或僅由p型組成的半導(dǎo)體的厚度MOS晶體管。