季豐對(duì)存儲(chǔ)器芯片的失效分析方法步驟

由于存儲(chǔ)器中包括結(jié)構(gòu)重復(fù)的存儲(chǔ)單元，當(dāng)其中發(fā)生失效點(diǎn)時(shí), 如何定位失效點(diǎn)成為存儲(chǔ)器失效分析中的最為重要的一步。存儲(chǔ)器芯片的集成度高，字線(WL)和位線(BL)之間發(fā)生微小漏電，或前段Device及后段metal/via的缺陷導(dǎo)致SB和WL/BL Fail，這些失效情況用現(xiàn)有技術(shù)SEM定位 或通過光發(fā)射方法 (EMMI) 或光致阻變 (0BIRCH) 方法，通常準(zhǔn)確性較低, 失效分析的成功率還有待進(jìn)一步的提高。

存儲(chǔ)器芯片確定物理地址/layout & PFIB delayer

季豐對(duì)存儲(chǔ)器芯片的失效分析方法步驟

加入了納米探針（Nano-probe）檢測(cè)失效物理地址的電性參數(shù)，可通過電性量測(cè)表征transistor 特性曲線；

可利用pulsing功能檢測(cè)軟失效；

最多可實(shí)現(xiàn)8根針的電性量測(cè)，可提供SRAM Static Noise Margin測(cè)試；

配備了高低溫模塊，可實(shí)現(xiàn)-40℃~150℃復(fù)現(xiàn)高/低溫故障；

可利用電子束吸收電流(EBAC)/ 電子束誘發(fā)電流(EBIC) 技術(shù)標(biāo)記缺陷實(shí)際位置, 以提高找到失效機(jī)制的成功率（如下圖所示）。

Nano probe IV/EBIC/EBAC技術(shù)

PFA分析, 提供了平面和截面TEM&EDX的三維成像分析，平面TEM（如下圖所示）做大范圍的觀察與確認(rèn)缺陷位置,再針對(duì)可疑的缺陷執(zhí)行截面分析, 在透射電鏡分析中提高了分析成功率，讓客戶有更全面的觀察視野去判斷失效問題。

平面TEM技術(shù) （6T SRAM 結(jié)構(gòu)）

納米探針和TEM分析是目前最佳的存儲(chǔ)芯片功能性失效分析方法之一, 季豐電子具備專業(yè)的技術(shù)能力及高端的設(shè)備資源，可為客戶提供更完整準(zhǔn)確的分析服務(wù)。

GIGA FORCE

季豐電子

季豐電子成立于2008年，是一家聚焦半導(dǎo)體領(lǐng)域，深耕集成電路檢測(cè)相關(guān)的軟硬件研發(fā)及技術(shù)服務(wù)的賦能型平臺(tái)科技公司。公司業(yè)務(wù)分為四大板塊，分別為基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)室、軟硬件開發(fā)、測(cè)試封裝和儀器設(shè)備，可為芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、材料裝備等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和新能源領(lǐng)域公司提供一站式的檢測(cè)分析解決方案。

季豐電子通過國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”、國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、上海市“科技小巨人”、上海市企業(yè)技術(shù)中心、研發(fā)機(jī)構(gòu)、公共服務(wù)平臺(tái)等企業(yè)資質(zhì)認(rèn)定，通過了ISO9001、 ISO17025、CMA、CNAS等認(rèn)證。公司員工近1000人，總部位于上海，在浙江、北京、深圳、成都等地設(shè)有分公司。