I2C靜電放電防護(hù)方案
方案簡(jiǎn)介
I2C總線,作為一種簡(jiǎn)單又高效的雙線同步串行通信方式,僅依賴兩根線即可在總線上各器件間實(shí)現(xiàn)信息交換。其特點(diǎn)是運(yùn)行功耗低和抗噪聲能力強(qiáng),主要用于短距離通信,速度范圍為100 kbps至5 Mbps。該總線在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)領(lǐng)域使用廣泛,主要應(yīng)用于低速外設(shè)與處理器、微控制器之間的互連,如溫度傳感器、LCD顯示屏驅(qū)動(dòng)器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器等。
由于I2C總線需外接線路以傳輸數(shù)據(jù),易受ESD靜電放電等不利因素侵?jǐn)_,對(duì)終端產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性構(gòu)成潛在風(fēng)險(xiǎn)。為了確保這些數(shù)據(jù)端口能夠在最終安裝環(huán)境中正常工作,普通的防護(hù)方案或許會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)的傳輸造成一定影響,本文采用分立和集成兩種低容ESD靜電保護(hù)器件方案,在不影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那疤嵯聺M足IEC61000-4-2 Level 4靜電放電防護(hù)需求,讓后端的電路得到有效防護(hù)。
I2C工作原理
1.總線結(jié)構(gòu)
SDA:雙向串行數(shù)據(jù)線,用于數(shù)據(jù)傳輸。
SCL:雙向串行時(shí)鐘線,通常由主設(shè)備控制,用于同步數(shù)據(jù)傳輸。
2.通信過(guò)程
起始條件:當(dāng)SCL為高電平時(shí),SDA從高電平跳變到低電平,表示一個(gè)通信過(guò)程的開(kāi)始。
發(fā)送地址:主設(shè)備隨后在SDA上發(fā)送從設(shè)備的地址(包括讀寫位),并等待從設(shè)備的應(yīng)答。
應(yīng)答信號(hào):被尋址的從設(shè)備在SCL的下一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)將SDA拉低以表示應(yīng)答。
數(shù)據(jù)傳輸:一旦建立連接,主設(shè)備和從設(shè)備就可以開(kāi)始傳輸數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)位在每個(gè)SCL的上升沿被采樣。
停止條件:當(dāng)數(shù)據(jù)傳輸完成時(shí),主設(shè)備通過(guò)將SDA拉高(在SCL為高電平時(shí)),然后釋放SCL(允許其上升為高電平),來(lái)生成一個(gè)停止條件,表示通信的結(jié)束。
應(yīng)用示例
由于I2C是通過(guò)SDA和SCL兩條線的電平變化和數(shù)據(jù)采樣來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)?,所以需要在這兩條線上加ESD防護(hù)器件保護(hù)I2C總線免受靜電放電(ESD)和低等級(jí)浪涌事件的沖擊與干擾。以下是我們提供的兩種方案,客戶可根據(jù)實(shí)際情況選擇器件。
方案一:
該方案采用的是一款分立的ESD保護(hù)器件SELC2F5V1BT,可防止各引腳受靜電放電的干擾,該器件封裝尺寸小,漏電流低,響應(yīng)速度快,且符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4規(guī)范,在 ±25kV(空氣)和 ±22kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)。
方案二:
該方案采用的是一款三引腳ESD防護(hù)器件SELC23T5V2U,可保護(hù)兩條單向電路,鉗位電壓低、漏電流低,保護(hù)I2C總線免遭ESD靜電放電破壞的同時(shí),確保傳輸數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性和完整性。符合IEC 61000-4-2 (ESD) Level 4規(guī)范,在 ±15kV(空氣)和 ±10kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)。
型號(hào)參數(shù)
規(guī)格型號(hào) | 方向 | 工作電壓(V) | IPP(A) | 鉗位電壓(V) | 結(jié)電容(pF) | 封裝 |
SELC2F5V1BT | Bi | 5 | 4.5 | 22 | 0.3 | DFN1006-2L |
SELC23T5V2U | Ui | 5 | 4 | 11 | 0.6 | SOT-23 |
電氣特性表
At TA = 25℃ unless otherwise noted
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | 5 | V | |||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mA | 6.5 | V | ||
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1 | uA | ||
Clamping Voltage | VC | IPP=1A; tp=8/20us | 12 | V | ||
Clamping Voltage | VC | IPP=4.5A; tp=8/20us | 22 | V | ||
Junction Capacitance | CJ | VR=0V; f=1MHz | 0.3 | pF |
表1 SELC2F5V1BT電氣特性表
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mA | 6.0 | 9.0 | V | |
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1.0 | uA | ||
Clamping Voltage | VC | IPP=1A; tp=8/20us | 8.0 | 10.0 | V | |
Clamping Voltage | VC | IPP=4A; tp=8/20us | 11.0 | 13.0 | V | |
Junction Capacitance | CJ | VR=0V; f=1MHz | 0.6 | 0.8 | pF |
表2 SELC23T5V2U電氣特性表
總結(jié)與結(jié)論
由于I2C總線在連接各種電子設(shè)備內(nèi)部組件上的重要作用,保護(hù)I2C總線免受ESD靜電損害極為關(guān)鍵。ELECSUPER SEMI研發(fā)各種低電容低鉗位電壓的ESD保護(hù)器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開(kāi)發(fā)服務(wù),為各種接口提供值得信賴的保護(hù)器件。以上解決方案是保護(hù)I2C總線的優(yōu)選之策,確保設(shè)備能夠高效、可靠地運(yùn)行。
審核編輯 黃宇
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